| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内和国外的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第13-15页 |
| 第2章 SiC MOSFET短路特性测试平台搭建 | 第15-28页 |
| 2.1 基本短路类型 | 第15-18页 |
| 2.2 短路测试平台设计 | 第18-27页 |
| 2.2.1 测试电路设计依据 | 第18-20页 |
| 2.2.2 短路测试平台方案 | 第20-23页 |
| 2.2.3 器件及设备选型 | 第23-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 SiC MOSFET短路测试实验 | 第28-41页 |
| 3.1 第一类短路特性测试 | 第28-35页 |
| 3.1.1 栅极驱动参数影响 | 第28-31页 |
| 3.1.2 功率主回路参数影响 | 第31-34页 |
| 3.1.3 外壳温度的影响 | 第34-35页 |
| 3.2 第二类短路特性测试与仿真 | 第35-40页 |
| 3.2.1 密勒电容对第二类短路特性的影响 | 第35-38页 |
| 3.2.2 栅极电阻对第二类短路特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 栅源极电压和漏源极电压对第二类短路特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 SiC MOSFET短路能力及失效机理 | 第41-59页 |
| 4.1 参数对短路能力的影响 | 第41-47页 |
| 4.1.1 不同漏源极电压的影响 | 第41-44页 |
| 4.1.2 不同壳温度的影响 | 第44-47页 |
| 4.2 短路失效模式 | 第47-58页 |
| 4.2.1 栅源极失效 | 第47-51页 |
| 4.2.2 热逸溃失效 | 第51-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 结论与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |