| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 本文的研究内容以及结构安排 | 第19-21页 |
| 第二章 热载流子效应的物理机制 | 第21-35页 |
| 2.1 集成电路可靠性 | 第21-24页 |
| 2.1.1 可靠性概述 | 第21-23页 |
| 2.1.2 可靠性统计分布函数 | 第23-24页 |
| 2.2 热载流子效应产生以及损伤的物理机制 | 第24-26页 |
| 2.2.1 热载流子效应的分类 | 第24-25页 |
| 2.2.2 热载流子效应的物理机制 | 第25-26页 |
| 2.3 热载流子效应的退化模型 | 第26-31页 |
| 2.3.1 幸运电子模型 | 第27-28页 |
| 2.3.2 能量驱动模型 | 第28-31页 |
| 2.4 热载流子寿命预测方法 | 第31-33页 |
| 2.4.1 加速应力实验 | 第31页 |
| 2.4.2 寿命预测模型 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 65nmNMOS器件的热载流子效应仿真研究 | 第35-51页 |
| 3.1 HSPICE电路仿真 | 第35-38页 |
| 3.2 器件结构的二维模拟生长 | 第38-42页 |
| 3.3 栅氧化层厚度对热载流子效应的影响 | 第42-44页 |
| 3.4 器件栅长对热载流子效应的影响 | 第44-45页 |
| 3.5 Halo工艺波动对HCI效应的影响 | 第45-48页 |
| 3.5.1 Halo注入角度波动对HCI效应的影响 | 第45-46页 |
| 3.5.2 Halo注入剂量波动对HCI效应影响 | 第46-47页 |
| 3.5.3 Halo注入能量波动对HCI效应的影响 | 第47-48页 |
| 3.6 LDD工艺波动对HCI效应的影响 | 第48-49页 |
| 3.6.1 LDD注入剂量波动对HCI效应影响 | 第48-49页 |
| 3.6.2 LDD注入能量波动对HCI效应影响 | 第49页 |
| 3.7 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 65nmNMOS器件的热载流子效应实验研究 | 第51-73页 |
| 4.1 测试结构的设计 | 第51-54页 |
| 4.2 测试实验设计 | 第54-57页 |
| 4.2.1 应力测试流程 | 第54-56页 |
| 4.2.2 确定漏极应力电压 | 第56页 |
| 4.2.3 确定栅极应力电压 | 第56-57页 |
| 4.3 基本电学测试 | 第57-61页 |
| 4.3.1 输出特性退化 | 第57-58页 |
| 4.3.2 线性区跨导退化 | 第58-59页 |
| 4.3.3 转移特性退化 | 第59-60页 |
| 4.3.4 热载流子应力下器件参数退化 | 第60-61页 |
| 4.4 不同器件结构热载流子效应退化特征 | 第61-64页 |
| 4.4.1 宽长比对阈值电压退化的影响 | 第61-63页 |
| 4.4.2 栅长对阈值电压退化的影响 | 第63-64页 |
| 4.5 天线效应对热载流子效应的影响 | 第64-67页 |
| 4.6 热载流子寿命预测 | 第67-72页 |
| 4.7 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 总结和展望 | 第73-75页 |
| 5.1 全文总结 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
