| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 概述 | 第12-25页 |
| 1.1 太赫兹波简介 | 第12-15页 |
| 1.2 太赫兹探测技术进展 | 第15-18页 |
| 1.3 场效应晶体管太赫兹探测器的国内外发展现状 | 第18-22页 |
| 1.3.1 场效应晶体管太赫兹探测器 | 第18-20页 |
| 1.3.2 场效应晶体管太赫兹探测器的国内外发展现状 | 第20-22页 |
| 1.4 AlGaN/GaN HEMT太赫兹混频探测器的优势 | 第22-23页 |
| 1.4.1 GaN基HEMT的优势 | 第22页 |
| 1.4.2 AlGaN/GaN二维电子气特性 | 第22-23页 |
| 1.4.3 基于AlGaN/GaN HEMT的混频探测器的制备方法 | 第23页 |
| 1.5 针对当前应用面临的问题 | 第23-24页 |
| 1.6 论文内容安排 | 第24-25页 |
| 第2章 场效应晶体管混频探测器的物理模型和表征方法 | 第25-49页 |
| 2.1 场效应晶体管太赫兹混频探测器模型简介 | 第25-32页 |
| 2.2 场效应晶体管特性的测试 | 第32-37页 |
| 2.2.1 转移特性和输出特性 | 第32-33页 |
| 2.2.2 微分电导曲线 | 第33-35页 |
| 2.2.3 跨导曲线 | 第35-36页 |
| 2.2.4 栅极漏电 | 第36-37页 |
| 2.3 光电响应特性的测试 | 第37-45页 |
| 2.3.1 光电流、光电压 | 第37-40页 |
| 2.3.2 响应度(响应电流、响应电压) | 第40页 |
| 2.3.3 噪声和噪声等效功率(NEP) | 第40-42页 |
| 2.3.4 响应带宽/响应速度 | 第42-45页 |
| 2.4 光源功率定标 | 第45-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第3章 场效应晶体管混频探测器的天线结构及优化 | 第49-62页 |
| 3.1 天线在场效应混频探测器中的作用 | 第49-53页 |
| 3.2 天线各个参数对探测性能的影响 | 第53-57页 |
| 3.2.1 栅极长度与跨导 | 第53-54页 |
| 3.2.2 天线尺寸与谐振频率 | 第54-55页 |
| 3.2.3 天线-栅极间距与局域太赫兹波增强 | 第55页 |
| 3.2.4 天线间的耦合作用 | 第55-57页 |
| 3.3 差分对管结构的太赫兹自混频探测器设计与实现 | 第57-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 场效应晶体管混频探测器的光学耦合结构 | 第62-84页 |
| 4.1 硅透镜耦合的自混频探测器 | 第62-76页 |
| 4.1.1 超半球硅透镜与自混频芯片的耦合结构仿真 | 第62-67页 |
| 4.1.2 硅透镜耦合的自混频探测器组件 | 第67-70页 |
| 4.1.3 集成透镜引起的局域电场对光响应的影响 | 第70-76页 |
| 4.2 波导耦合的自混频探测器组件 | 第76-81页 |
| 4.2.1 波导耦合结构的仿真 | 第76-78页 |
| 4.2.2 波导耦合的自混频探测器组件 | 第78-81页 |
| 4.3 硅透镜耦合与波导耦合组件的对比 | 第81-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 第5章 场效应晶体管混频探测器的响应频谱特性 | 第84-94页 |
| 5.1 场效应晶体管探测器0.1-1.1 THz多频段天线设计 | 第84-85页 |
| 5.2 相干宽谱太赫兹波脉冲的探测 | 第85-88页 |
| 5.3 非相干宽谱太赫兹波的探测 | 第88-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 第6章 场效应晶体管混频探测器及其组件的应用演示 | 第94-99页 |
| 6.1 相干光源辐照下对被测物体进行透射成像 | 第94-96页 |
| 6.2 非相干光源辐照下对被测物体进行透视成像 | 第96页 |
| 6.3 对音频调幅太赫兹波的接收 | 第96-98页 |
| 6.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 第7章 结论 | 第99-103页 |
| 7.1 本文主要结论 | 第99-101页 |
| 7.2 问题与展望 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第112-113页 |
