| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第7页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第7-14页 |
| 1.2.1 太赫兹波的性质 | 第8页 |
| 1.2.2 太赫兹波的应用 | 第8-12页 |
| 1.2.3 太赫兹探测器的发展 | 第12-14页 |
| 1.3 论文研究内容与组织结构 | 第14-17页 |
| 第2章 太赫兹波与等离子体 | 第17-35页 |
| 2.1 等离子体 | 第17-21页 |
| 2.1.1 等离子体的概念 | 第17-18页 |
| 2.1.2 等离子体的分类 | 第18-20页 |
| 2.1.3 等离子体振荡 | 第20-21页 |
| 2.2 场效应管中等离子体波 | 第21-35页 |
| 2.2.1 场效应管中的二维电子流体 | 第21-24页 |
| 2.2.2 二维电子流体中等离子波的产生 | 第24-26页 |
| 2.2.3 等离子波的衰减和阻尼过程 | 第26-27页 |
| 2.2.4 等离子波的频率响应 | 第27-35页 |
| 第3章 二维电子气传输线模型的频率响应 | 第35-43页 |
| 3.1 二维电子系统 | 第35-38页 |
| 3.1.1 HEMT中的二维电子气 | 第35-36页 |
| 3.1.2 传输线模型 | 第36-38页 |
| 3.2 二维电子气HEMT的传输线模型 | 第38-40页 |
| 3.3 二维电子气HEMT的频率响应 | 第40-43页 |
| 第4章 光敏共振隧穿二极管 | 第43-55页 |
| 4.1 共振隧穿器件 | 第43-51页 |
| 4.1.1 共振隧穿器件的工作原理 | 第43-45页 |
| 4.1.2 共振隧穿二极管的器件模型 | 第45页 |
| 4.1.3 基于物理参数的I-V方程共振隧穿二极管模型 | 第45-46页 |
| 4.1.4 基于高斯函数、指数函数的共振隧穿二极管模型 | 第46-48页 |
| 4.1.5 共振隧穿二极管的仿真 | 第48-51页 |
| 4.2 光敏共振隧穿二极管的器件结构 | 第51-55页 |
| 4.2.1 光敏共振隧穿二极管的光电压 | 第52-53页 |
| 4.2.2 光敏共振隧穿二极管的仿真 | 第53-55页 |
| 第5章 等离子体的负阻增强 | 第55-69页 |
| 5.1 二端口网络与二端口网络的功率增益 | 第55-59页 |
| 5.1.1 二端口网络的散射参数模型 | 第55-56页 |
| 5.1.2 二端口网络的增益 | 第56-59页 |
| 5.2 RTD栅HEMT的功率增益 | 第59-61页 |
| 5.3 光敏RTD栅HEMT | 第61-63页 |
| 5.4 太赫兹信号的光2ASK调制 | 第63-69页 |
| 5.4.1 二进制振幅调制的原理 | 第63-65页 |
| 5.4.2 光调制原理 | 第65-69页 |
| 第6章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |