| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 国内外相关研究进展及存在的问题 | 第10-14页 |
| 1.1.1 AlGaAs/GaAs HEMT | 第10-11页 |
| 1.1.2 AlGaN/GaN HEMT | 第11-12页 |
| 1.1.3 AlGaN/GaN MOS (MIS) HEMT | 第12-14页 |
| 1.2 HEMT及其相关异质结构中2DEG迁移率的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3 AlGaN/GaN MOSHEMT漏电流的研究 | 第17页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 理论计算模型与方法 | 第19-36页 |
| 2.1 电子态 | 第19-24页 |
| 2.1.1 单电子的薛定谔方程 | 第19-22页 |
| 2.1.2 有限元差分法求解薛定谔方程 | 第22-24页 |
| 2.2 AlGaN/AIN异质结构中光学声子模及2DEG迁移率 | 第24-30页 |
| 2.2.1 无插入层时的光学声子模 | 第24-27页 |
| 2.2.2 有AlN插入层时的光学声子模 | 第27-28页 |
| 2.2.3 MREI模型 | 第28-30页 |
| 2.2.4 2DEG迁移率 | 第30页 |
| 2.3 MOS (MIS)HEMT的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第30-36页 |
| 2.3.1 弱反型 | 第31-33页 |
| 2.3.2 中反型 | 第33-34页 |
| 2.3.3 强反型 | 第34-36页 |
| 第三章 数值结果与讨论 | 第36-71页 |
| 3.1 Al_2O_3/AlGaN/GaN异质结构的2DEG迁移率 | 第36-50页 |
| 3.1.1 电子面密度和内建电场 | 第36-39页 |
| 3.1.2 电子态 | 第39-42页 |
| 3.1.3 AlGaN/GaN单异质结的光学声子 | 第42-46页 |
| 3.1.4 2DEG迁移率 | 第46-49页 |
| 3.1.5 小结 | 第49-50页 |
| 3.2 四种不同绝缘栅AlGaN/GaN MOS (MIS) HEMT中电子迁移率的比较 | 第50-55页 |
| 3.2.1 波函数 | 第50-51页 |
| 3.2.2 2DEG面密度 | 第51-52页 |
| 3.2.3 2DEG迁移率 | 第52-54页 |
| 3.2.4 小结 | 第54-55页 |
| 3.3 AlN插入层的影响 | 第55-67页 |
| 3.3.1 2DEG面密度 | 第55-56页 |
| 3.3.2 导带和电子波函数 | 第56-57页 |
| 3.3.3 HS光学声子的色散关系和声子势 | 第57-62页 |
| 3.3.4 2DEG迁移率 | 第62-67页 |
| 3.3.5 小结 | 第67页 |
| 3.4 MOSHEMT的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第67-71页 |
| 3.4.1 MOSHEMT的阈值电压 | 第67-68页 |
| 3.4.2 MOSHEMT的Ⅰ-Ⅴ输出特性 | 第68-69页 |
| 3.4.3 小结 | 第69-71页 |
| 第四章 全文总结与展望 | 第71-74页 |
| 参考文献 | 第74-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读博士学位期间发表和完成的论文 | 第88页 |
