| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 符号对照表 | 第17-18页 |
| 缩略语对照表 | 第18-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-34页 |
| 1.1 研究背景 | 第22-23页 |
| 1.2 有机金属卤化物钙钛矿介绍 | 第23-28页 |
| 1.2.1 有机金属卤化物钙钛矿材料特性 | 第23-24页 |
| 1.2.2 有机金属卤化物钙钛矿基光电器件介绍 | 第24-28页 |
| 1.3 有机金属卤化物钙钛矿目前存在的问题 | 第28-30页 |
| 1.3.1 迁移率和稳定性问题 | 第28-29页 |
| 1.3.2 钙钛矿内部可移动离子问题 | 第29-30页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第30-34页 |
| 第二章 钙钛矿及钙钛矿MOS电容探测器的制备与表征 | 第34-52页 |
| 2.1 钙钛矿及钙钛矿MOS电容的制备 | 第34-36页 |
| 2.2 钙钛矿薄膜材料表征 | 第36-42页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第36-37页 |
| 2.2.2 X射线衍射谱(XRD) | 第37-38页 |
| 2.2.3 光致发光谱(PL) | 第38-40页 |
| 2.2.4 紫外可见吸收光谱(Ultraviolet Visible Absorption Spectrum) | 第40-41页 |
| 2.2.5 射线光电子能谱(XPS) | 第41-42页 |
| 2.3 钙钛矿MOS电容探测器表征 | 第42-47页 |
| 2.3.1 钙钛矿MOS电容器件介绍 | 第42-44页 |
| 2.3.2 钙钛矿MOS电容界面特性分析 | 第44-45页 |
| 2.3.3 钙钛矿MOS电容电荷输运机制分析 | 第45-46页 |
| 2.3.4 钙钛矿MOS电容光电探测器主要参数 | 第46-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-52页 |
| 第三章 钙钛矿MOS器件中的离子特性研究 | 第52-64页 |
| 3.1 钙钛矿MOS电容的制备与电学模型 | 第53-55页 |
| 3.2 钙钛矿MOS电容的电学特性测试 | 第55-60页 |
| 3.3 离子对钙钛矿MOS电容电学特性影响表征 | 第60-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 有无PCBM的掺杂对钙钛矿MOS电容的影响研究 | 第64-74页 |
| 4.1 实验样品制备与材料表征 | 第64-65页 |
| 4.2 掺杂PCBM对钙钛矿MOS电容界面特性影响研究 | 第65-70页 |
| 4.3 掺杂PCBM对钙钛矿MOS电容电荷输运机制影响研究 | 第70-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 钙钛矿基MOS电容探测器制备与特性研究 | 第74-96页 |
| 5.1 钙钛矿基MOS隧穿电容的制备 | 第74-76页 |
| 5.2 钙钛矿基MOS隧穿电容的电学特性研究 | 第76-80页 |
| 5.3 钙钛矿基MOS电容探测器的电学特性研究 | 第80-84页 |
| 5.4 钙钛矿基MOS电容探测器的电流输运机制研究 | 第84-89页 |
| 5.5 钙钛矿基MIS电容探测器制备与特性研究 | 第89-93页 |
| 5.5.1 钙钛矿MIS电容制备和测试 | 第90页 |
| 5.5.2 钙钛矿MIS电容的XPS特性表征 | 第90-93页 |
| 5.6 本章小结 | 第93-96页 |
| 第六章 总结与展望 | 第96-100页 |
| 6.1 总结 | 第96-99页 |
| 6.2 不足与展望 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
| 作者简介 | 第112-116页 |
