| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 功率MOSFET雪崩特性的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 功率SiC MOSFET雪崩特性的研究意义 | 第10-11页 |
| 1.3 功率MOSFET雪崩失效机理的相关研究 | 第11-12页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 功率SiC MOSFET雪崩测试的原理与方案 | 第14-23页 |
| 2.1 非钳位感性开关测试原理概述 | 第14-16页 |
| 2.2 功率半导体雪崩耐量测试台及其原理 | 第16-19页 |
| 2.2.1 功率半导体雪崩耐量测试台概述 | 第16-17页 |
| 2.2.2 功率半导体雪崩耐量测试台的测试原理 | 第17-19页 |
| 2.3 功率SiC MOSFET的雪崩测试方案 | 第19-22页 |
| 2.3.1 被测功率SiC MOSFET的选型 | 第19-20页 |
| 2.3.2 功率SiC MOSFET雪崩测试的测试条件 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 功率SiC MOSFET雪崩特性的测试与分析 | 第23-45页 |
| 3.1 功率SiC MOSFET雪崩特性的一般性讨论 | 第23-27页 |
| 3.1.1 功率SiC MOSFET的非破坏性雪崩测试 | 第23-24页 |
| 3.1.2 功率SiC MOSFET的破坏性雪崩测试 | 第24-27页 |
| 3.2 不同SiC MOSFET雪崩特性的比较与分析 | 第27-29页 |
| 3.3 测试参数对SiC MOSFET雪崩特性的影响 | 第29-36页 |
| 3.3.1 测试参数对雪崩电流和雪崩能量的影响 | 第29-33页 |
| 3.3.2 单个测试参数对SiC MOSFET雪崩特性的影响 | 第33-36页 |
| 3.4 功率SiC MOSFET雪崩特性指标的归一化区间 | 第36-44页 |
| 3.4.1 功率SiC MOSFET雪崩电压的归一化区间 | 第36-40页 |
| 3.4.2 功率SiC MOSFET雪崩电流的归一化区间 | 第40-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 功率SiC MOSFET雪崩测试中的可靠性研究 | 第45-57页 |
| 4.1 雪崩电流采样的可靠性 | 第45-51页 |
| 4.2 雪崩测试中的高频振荡 | 第51-54页 |
| 4.3 雪崩测试中的其他可靠性问题 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 工作总结 | 第57-58页 |
| 5.2 课题展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-65页 |
| 攻读硕士学位期间主要科研成果 | 第65页 |
