当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
场效应器件
高k栅介质Ge MOS器件界面钝化层材料及工艺优化研究
单层二硫化钼薄膜的制备及银纳米颗粒优化其晶体管光响应性能研究
一种高分辨率的CCD直读型光谱仪研究
一种容错QCA交叉结构设计
基于负电容效应的SBT铁电栅场效应晶体管物理模型
多晶金刚石半导体材料及MOSFET器件研究
硅基负电容场效应晶体管研究和制备
基于超晶格结构的AlGaN沟道材料生长及器件制作研究
基于碱土金属的SiC MOS界面调控机理与工艺研究
高温湿氧工艺4H-SiC MOS电容与SBD的质子辐照效应研究
AlGaN/GaN HEMT热存储和电热耦合可靠性研究
新型高耐压垂直型GaN基功率器件的研究与设计
P型栅增强型GaN HEMT器件研究
GaN基FinFET器件工艺及特性分析
GaN HEMT功率器件的非线性行为模型建模方法研究
FINFET器件特性与NBTI效应研究
CMOS反相器总剂量辐照效应建模方法研究
650V高压VDMOS氮化硅工艺优化与可靠性提升
氢终端金刚石场效应管器件特性研究
基于40nmCMOS工艺的高性能抗SET锁相环研究与设计
高κ栅介质Ge基MOS器件界面特性研究
横向功率器件纵向电场调制机理及新型器件设计
具有Si/SiC异质结新型功率器件设计
GaN HEMT功率器件非线性建模研究及功率放大器设计
强电磁环境中纳米MOS的可靠性
AlGaN/GaN HEMT器件的高场高温可靠性研究
晶体管型存储器驻极体分子设计及分子工程
LDMOS中电安全工作区的机理与新结构研究
基于SCR结构的ESD防护研究
基于PET柔性衬底的背栅黑磷场效应晶体管的制备及其特性研究
基于氮杂异靛蓝衍生物的共轭聚合物的合成及其场效应晶体管性能的研究
基于磁控溅射AlN和石墨烯过渡层的GaN生长研究
Ⅲ族氮化物高质量外延材料及其新型功率器件研究
宽带隙半导体载流子输运的若干问题研究
应变Si MOS器件辐照特性及加固技术研究
Ⅲ族氮化物增强型HEMT与TFET器件研究
新型纳米无结场效应晶体管研究
基于二维平面共轭稠环化合物的有机场效应晶体管半导体材料的合成
铁电-GaN半导体薄膜外延集成及器件研究
环栅肖特基势垒NMOSFET模型研究
基于CMOS工艺的Ising架构计算的热波动源研究
基于聚合物驻极体的有机场效应晶体管存储器及其光调控研究
六种并五噻吩同分异构体的制备及其有机场效应晶体管的性能研究
光辐照和磁场调控下的掺镍HfO2薄膜电荷存储特性
基于摩擦纳米发电机的气体离子栅调控技术及其在ZnO薄膜新型电阻开关存储器中的应用
石墨烯纳米带及其场效应管的电子输运特性研究
非对称接触氧化钨纳米线器件电输运性能研究
纳米硅量子点MOS结构及纳米硅量子点非挥发性浮栅存储器的研究
采用GCMOS技术的4KV全芯片ESD防护设计
基于有机场效应晶体管的紫外光电探测研究
上一页
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
下一页
