| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第11-14页 |
| 1.2 课题的研究现状与分析 | 第14-20页 |
| 1.2.1 SiC MOSFET及其测量技术研究现状 | 第14-18页 |
| 1.2.2 SiC MOSFET损耗分析与应用研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 课题研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 SiC MOSFET功率模块中压测试平台设计 | 第22-40页 |
| 2.1 SiC MOSFET中压测试平台方案设计 | 第22-25页 |
| 2.1.1 系统结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 系统功能 | 第23-25页 |
| 2.2 SiC MOSFET中压测试平台硬件设计 | 第25-35页 |
| 2.2.1 系统电路拓扑 | 第25-26页 |
| 2.2.2 功率电路设计 | 第26-30页 |
| 2.2.3 叠层母排结构设计 | 第30-34页 |
| 2.2.4 安全性设计 | 第34-35页 |
| 2.3 SiC MOSFET中压测试平台软件设计 | 第35-39页 |
| 2.3.1 LabVIEW控制框架设计 | 第35-37页 |
| 2.3.2 LabVIEW基本控制框图 | 第37-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 SiC MOSFET动态特性的仿真与实验分析 | 第40-68页 |
| 3.1 SiC MOSFET动态特性理论分析 | 第40-46页 |
| 3.1.1 SiC MOSFET开通过程分析 | 第41-44页 |
| 3.1.2 SiC MOSFET关断过程分析 | 第44-46页 |
| 3.2 实验环境与实验对象 | 第46-48页 |
| 3.3 SiC MOSFET实验参数自动化提取 | 第48-49页 |
| 3.4 SiC MOSFET动态特性仿真与实验分析 | 第49-66页 |
| 3.4.1 母线电压对动态特性的影响 | 第49-54页 |
| 3.4.2 负载电流对动态特性的影响 | 第54-58页 |
| 3.4.3 驱动电阻对动态特性的影响 | 第58-62页 |
| 3.4.4 工作结温对动态特性的影响 | 第62-66页 |
| 3.5 SiC MOSFET开关损耗计算模型 | 第66-67页 |
| 3.6 本章小结 | 第67-68页 |
| 第4章 基于损耗分析的散热设计与评估 | 第68-86页 |
| 4.1 SiC MOSFET应用工况损耗分析 | 第68-75页 |
| 4.1.1 理想条件SiC MOSFET损耗分析 | 第68-71页 |
| 4.1.2 非理想条件下SiC MOSFET损耗分析 | 第71-73页 |
| 4.1.3 损耗计算实例 | 第73-75页 |
| 4.2 SiC MOSFET中压模组散热器设计与优化 | 第75-77页 |
| 4.3 SiC MOSFET中压模组散热评估与验证 | 第77-85页 |
| 4.3.1 功率单元热分析 | 第77-80页 |
| 4.3.2 功率单元散热实验验证 | 第80-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 第5章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第86-87页 |
| 5.2 论文工作展望 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |
