| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 缩略词表 | 第11-23页 |
| 第1章 绪论 | 第23-36页 |
| 1.1 引言 | 第23-25页 |
| 1.2 二维材料的发展历史 | 第25-28页 |
| 1.3 二维材料的制备和表征 | 第28-31页 |
| 1.4 二维材料的新物理和新器件 | 第31-33页 |
| 1.5 论文的研究意义和章节安排 | 第33-36页 |
| 1.5.1 论文的研究意义 | 第33-34页 |
| 1.5.2 论文的章节安排 | 第34-36页 |
| 第2章 二维/三维材料的结及其原理 | 第36-45页 |
| 2.1 接触的一般原理 | 第36-38页 |
| 2.2 典型的二端器件及其二维实现 | 第38-43页 |
| 2.2.1 PN结 | 第38-40页 |
| 2.2.2 肖特基结 | 第40-41页 |
| 2.2.3 隧穿结 | 第41-43页 |
| 2.3 典型的二维三端器件 | 第43-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第3章 石墨烯/硅的肖特基结及其接触理论 | 第45-59页 |
| 3.1 背景介绍 | 第45-46页 |
| 3.2 理论介绍 | 第46-53页 |
| 3.2.1 金属-半导体接触 | 第46-49页 |
| 3.2.2 石墨烯-半导体的接触 | 第49-52页 |
| 3.2.3 一般的N层二维材料和半导体接触 | 第52-53页 |
| 3.3 计算结果及分析 | 第53-56页 |
| 3.4 器件实验 | 第56-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第4章 基于石墨烯/硅肖特基结的栅控二极管 | 第59-77页 |
| 4.1 背景介绍 | 第59-60页 |
| 4.2 器件制备 | 第60-61页 |
| 4.3 测试结果和分析 | 第61-76页 |
| 4.3.1 两端器件的实验 | 第61-63页 |
| 4.3.2 反型区光电流贡献的仿真 | 第63-66页 |
| 4.3.3 石墨烯/硅的栅控二极管以及负阻的原因 | 第66-69页 |
| 4.3.4 第一个光致负阻 | 第69-72页 |
| 4.3.5 第二个光致负阻 | 第72-76页 |
| 4.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第5章 基于二维/三维异质结的场效应电荷耦合器件 | 第77-103页 |
| 5.1 背景介绍 | 第77-79页 |
| 5.2 单像素器件的制备表征 | 第79-81页 |
| 5.3 器件原理 | 第81-88页 |
| 5.4 单像素原理验证,性能测试优化 | 第88-91页 |
| 5.5 FE-CCD的宽光谱响应 | 第91-94页 |
| 5.6 基于二维异质结的FE-CCD(FE-JCCD) | 第94-96页 |
| 5.7 成像和电荷转移实验 | 第96-98页 |
| 5.8 测试系统和测试方法 | 第98-100页 |
| 5.9 结果讨论 | 第100-102页 |
| 5.9.1 二维材料对FE-CCD性能的影响 | 第100-101页 |
| 5.9.2 增透膜和栅氧化层厚度的设计 | 第101-102页 |
| 5.10 本章小结 | 第102-103页 |
| 第6章 二维/三维异质结中热电子的输运问题 | 第103-130页 |
| 6.1 背景介绍 | 第103-106页 |
| 6.2 器件原理 | 第106-109页 |
| 6.3 不同类型热电子晶体管的制备分析优化 | 第109-129页 |
| 6.3.1 点接触热电子晶体管 | 第109-115页 |
| 6.3.2 基于肖特基的实空间转移器件 | 第115-118页 |
| 6.3.3 基于范德华异质结的热电子晶体管 | 第118-129页 |
| 6.4 本章小结 | 第129-130页 |
| 第7章 总结与展望 | 第130-134页 |
| 7.1 论文的主要内容 | 第130-131页 |
| 7.2 论文的主要创新点 | 第131-132页 |
| 7.3 论文的不足与展望 | 第132-134页 |
| 参考文献 | 第134-147页 |
| 作者简介及攻读博士期间取得的成果 | 第147-149页 |