| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 串联SiC MOSFET选题意义 | 第18-20页 |
| 1.3 串联SiC MOSFET研究综述 | 第20-24页 |
| 1.3.1 负载侧均压策略 | 第21-22页 |
| 1.3.2 栅极均压策略 | 第22-23页 |
| 1.3.3 单外部驱动串联MOSFET结构 | 第23-24页 |
| 1.3.4 总结 | 第24页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 串联SiC MOSFET电路动态特性分析 | 第27-45页 |
| 2.1 SiC MOSFET开关特性分析 | 第27-37页 |
| 2.1.1 开通过程分析 | 第27-33页 |
| 2.1.2 关断过程分析 | 第33-37页 |
| 2.2 串联SiC MOSFET动态均压影响因素分析 | 第37-39页 |
| 2.2.1 开通过程电压失衡原因分析 | 第38页 |
| 2.2.2 关断过程电压失衡原因分析 | 第38-39页 |
| 2.3 串联SiC MOSFET动态均压特性仿真研究 | 第39-44页 |
| 2.3.1 影响因素-驱动延迟差异 | 第40-41页 |
| 2.3.2 影响因素-寄生电容差异 | 第41-43页 |
| 2.3.3 影响因素-寄生电感差异 | 第43-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 新型串联SiC MOSFET拓扑设计与分析 | 第45-73页 |
| 3.1 串联SiC MOSFET拓扑设计 | 第46-58页 |
| 3.1.1 串联SiC MOSFET静态均压电路 | 第46-47页 |
| 3.1.2 钳位电路设计 | 第47-49页 |
| 3.1.3 钳位辅助电路设计 | 第49-51页 |
| 3.1.4 基于双管反激式DC/DC的能量回收电路设计 | 第51-55页 |
| 3.1.5 反馈控制电路分析 | 第55-58页 |
| 3.2 变压器隔离驱动设计 | 第58-65页 |
| 3.2.1 串联SiC MOSFET主电路隔离驱动电路设计 | 第59-61页 |
| 3.2.2 能量回收电路隔离驱动电路设计 | 第61-65页 |
| 3.3 仿真分析 | 第65-72页 |
| 3.3.1 串联SiC MOSFET拓扑结构仿真 | 第65-71页 |
| 3.3.2 变压器隔离驱动电路仿真 | 第71-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 新型串联SiC MOSFET拓扑样机制作与测试 | 第73-89页 |
| 4.1 样机制作 | 第73-80页 |
| 4.1.1 主电路硬件设计 | 第74-75页 |
| 4.1.2 隔离驱动电路硬件设计 | 第75-76页 |
| 4.1.3 反馈控制电路硬件设计 | 第76-79页 |
| 4.1.4 能量回收电路硬件设计 | 第79-80页 |
| 4.1.5 串联SiC MOSFET样机 | 第80页 |
| 4.2 功率主电路和反馈控制电路测试 | 第80-83页 |
| 4.2.1 功率主电路测试 | 第80-82页 |
| 4.2.2 反馈控制电路测试结果 | 第82-83页 |
| 4.3 串联SiC MOSFET拓扑样机整体测试 | 第83-87页 |
| 4.3.1 直接串联SiC MOSFET测试 | 第83-84页 |
| 4.3.2 新型串联SiC MOSFET拓扑测试 | 第84-86页 |
| 4.3.3 结果分析 | 第86-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-89页 |
| 第五章 总结与展望 | 第89-91页 |
| 5.1 工作总结 | 第89-90页 |
| 5.2 工作展望 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 作者简介 | 第97-98页 |
