| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 新型碳基材料简介 | 第9-17页 |
| 1.2.1 石墨烯以及石墨烯纳米条带 | 第10-14页 |
| 1.2.2 碳纳米管 | 第14-17页 |
| 1.3 碳基场效应管的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.4 研究内容和创新 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文章节安排 | 第19-20页 |
| 第二章 量子输运理论及计算模型 | 第20-27页 |
| 2.1 非平衡格林函数 | 第20-23页 |
| 2.2 Dyson方程 | 第23页 |
| 2.3 Landauer-Buttiker输运理论 | 第23-25页 |
| 2.4 石墨烯场效应管的模型和方法 | 第25-27页 |
| 第三章 新型石墨烯纳米条带场效应晶体管的电学输运特性 | 第27-35页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 梯度掺杂异质栅石墨烯场效应管输运特性的研究 | 第27-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 新型碳纳米管场效应晶体管的电学输运特性 | 第35-40页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 梯度掺杂异质栅CNTFETs电学特性的研究 | 第35-39页 |
| 4.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 新型碳基场效应管构建电路的性能分析 | 第40-55页 |
| 5.1 GNRFET的电路特性研究 | 第40-49页 |
| 5.1.1 GNRFET的查找表模型 | 第40-42页 |
| 5.1.2 GNRFET构建的反相器电路的研究 | 第42-47页 |
| 5.1.3 GNRFET构建的6T存储器电路的研究 | 第47-49页 |
| 5.2 CNTFET的电路特性研究 | 第49-54页 |
| 5.2.1 CNTFET的查找表模型 | 第49-50页 |
| 5.2.2 CNTFET二输入或门电路特性研究 | 第50-52页 |
| 5.2.3 CNTFET二输入与门电路特性研究 | 第52-54页 |
| 5.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
