| 摘要 | 第10-14页 |
| ABSTRACT | 第14-18页 |
| 符号表 | 第19-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-48页 |
| 1.1 GaN材料的性质及应用 | 第22-27页 |
| 1.1.1 GaN材料性质 | 第22-23页 |
| 1.1.2 GaN材料的优势和应用 | 第23-27页 |
| 1.2 GaN HEMT的基本结构 | 第27-30页 |
| 1.3 SiO材料的性质及应用 | 第30-32页 |
| 1.4 电流崩塌效应和钝化 | 第32-34页 |
| 1.4.1 电流崩塌效应 | 第32-33页 |
| 1.4.2 钝化 | 第33-34页 |
| 1.5 栅漏电流和器件击穿机理 | 第34-36页 |
| 1.6 Silvaco TCAD和场板 | 第36-38页 |
| 1.6.1 Silvaco TCAD | 第36-37页 |
| 1.6.2 场板 | 第37-38页 |
| 1.7 本论文的课题选取与研究内容 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-48页 |
| 第二章 GaN HEMT器件的制备和测试 | 第48-58页 |
| 2.1 AlGaN/AlN/GaN异质结的外延生长 | 第48-49页 |
| 2.2 器件制备 | 第49-51页 |
| 2.2.1 样品清洗 | 第49页 |
| 2.2.2 紫外光刻 | 第49页 |
| 2.2.3 台面刻蚀 | 第49-50页 |
| 2.2.4 欧姆接触 | 第50页 |
| 2.2.5 肖特基接触 | 第50-51页 |
| 2.3 SiO_x薄膜的制备 | 第51-52页 |
| 2.4 测试方法 | 第52-55页 |
| 2.4.1 传输线法 | 第52-53页 |
| 2.4.2 直流特性测试 | 第53页 |
| 2.4.3 小信号特性测试 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第三章 欧姆接触的优化 | 第58-74页 |
| 3.1 金属层厚度 | 第60-62页 |
| 3.2 退火温度 | 第62-64页 |
| 3.3 退火时间 | 第64-67页 |
| 3.4 Ti/Al/Ti/Au和Ti/Al/Ni/Au金属层对比 | 第67-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 第四章 热蒸发的SiO_x钝化层在GaN HEMT中的应用研究 | 第74-114页 |
| 4.1 未通氧热蒸发的SiO_x钝化层对GaN HEMT器件性能的影响 | 第75-91页 |
| 4.1.1 SiO_x薄膜的击穿特性 | 第75-77页 |
| 4.1.2 输出和转移特性 | 第77-79页 |
| 4.1.3 漏电和击穿特性 | 第79-83页 |
| 4.1.4 小信号特性 | 第83-84页 |
| 4.1.5 电应力退化 | 第84-91页 |
| 4.2 反应热蒸发的SiO_x钝化层对GaN HEMT器件性能的影响 | 第91-108页 |
| 4.2.1 SiO_x薄膜的EDS和AFM测试 | 第91-94页 |
| 4.2.2 输出和转移特性 | 第94-98页 |
| 4.2.3 电流崩塌特性 | 第98-104页 |
| 4.2.4 漏电和击穿特性 | 第104-108页 |
| 4.3 本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-114页 |
| 第五章 SiO_x MOS-HEMT的制备及性能研究 | 第114-136页 |
| 5.1 器件结构和制备工艺 | 第115-116页 |
| 5.2 SiO_x薄膜的形貌和介电常数测试 | 第116-117页 |
| 5.3 电子输运特性 | 第117-123页 |
| 5.4 瞬态开关特性 | 第123-127页 |
| 5.5 栅漏电和击穿特性 | 第127-130页 |
| 5.6 小信号特性 | 第130-131页 |
| 5.7 本章小结 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-136页 |
| 第六章 场板结构GaN HEMT击穿特性的Silvaco仿真 | 第136-160页 |
| 6.1 单场板 | 第137-148页 |
| 6.1.1 场板长度的优化 | 第141-143页 |
| 6.1.2 介质层厚度的优化 | 第143-145页 |
| 6.1.3 偏压对电场分布的影响 | 第145-148页 |
| 6.2 双场板 | 第148-156页 |
| 6.2.1 场板长度的优化 | 第150-152页 |
| 6.2.2 介质层厚度的优化 | 第152-154页 |
| 6.2.3 偏压对电场分布的影响 | 第154-156页 |
| 6.3 本章小结 | 第156-157页 |
| 参考文献 | 第157-160页 |
| 第七章 结论 | 第160-164页 |
| 致谢 | 第164-165页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第165-167页 |
| PaperⅠ | 第167-172页 |
| PaperⅡ | 第172-180页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第180页 |
