| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 太赫兹技术 | 第11-19页 |
| 1.1.1 太赫兹技术的特点 | 第12-13页 |
| 1.1.2 太赫兹技术的应用 | 第13-14页 |
| 1.1.3 太赫兹波辐射源技术 | 第14-16页 |
| 1.1.4 太赫兹波探测技术 | 第16-19页 |
| 1.2 等离子体波的基本物理理论 | 第19-21页 |
| 1.2.1 等离子体波的概念 | 第19-20页 |
| 1.2.2 FET中等离子体波的振荡 | 第20-21页 |
| 1.3 产生等离子体波的两种FET器件 | 第21-23页 |
| 1.3.1 MOSFET器件概述 | 第21-22页 |
| 1.3.2 HEMT器件的概述 | 第22-23页 |
| 1.3.3 二维电子气 | 第23页 |
| 1.4 EFT中太赫兹波的发展 | 第23-24页 |
| 1.5 本论文的研究内容 | 第24-26页 |
| 第2章 研究方法 | 第26-34页 |
| 2.1 场效应晶体管中等离子体波的不稳定性 | 第26-28页 |
| 2.2 基于等离子体振荡的太赫兹信号响应 | 第28-34页 |
| 2.2.1 太赫兹电磁波的响应 | 第28-29页 |
| 2.2.2 基于流体力学的Dyakonov-Shur响应模型 | 第29-33页 |
| 2.2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 电子扩散电流密度对FET中等离子体波不稳定性的影响 | 第34-40页 |
| 3.1 理论模型 | 第34-36页 |
| 3.2 关于电子扩散电流密度作用的数值模拟结果 | 第36-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 粘度作用对FET中等离子体波不稳定性的影响 | 第40-44页 |
| 4.1 理论模型 | 第40-41页 |
| 4.2 关于粘度的数值模拟结果 | 第41-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 Dyakonov-Shur响应模型数值模拟结果 | 第44-53页 |
| 5.1 理论模型 | 第44-47页 |
| 5.2 数值模拟结果分析 | 第47-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 结论与展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60页 |
