| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| 1.1 GaN材料优势 | 第18-19页 |
| 1.2 耗尽型AlGaN/GaN HEMT的发展 | 第19-20页 |
| 1.3 增强型AlGaN/GaN HEMT的发展 | 第20-22页 |
| 1.4 槽栅与氧等离子体处理工艺的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.4.1 槽栅刻蚀工艺研究现状 | 第22页 |
| 1.4.2 氧等离子体处理工艺研究现状 | 第22-23页 |
| 1.5 本文的研究内容和安排 | 第23-26页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT基本理论 | 第26-46页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT基本结构与工作原理 | 第26-29页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT器件基本结构 | 第26页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结结构极化特性 | 第26-29页 |
| 2.2 增强型AlGaN/GaN HEMT机理 | 第29-38页 |
| 2.2.1 阈值电压模型 | 第29-30页 |
| 2.2.2 槽栅氧等离子体增强机理 | 第30-35页 |
| 2.2.3 其他增强型实现方案及机理 | 第35-38页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT的工艺制备流程 | 第38-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-46页 |
| 第三章 槽栅与氧等离子体处理器件的基本特性 | 第46-64页 |
| 3.1 槽栅刻蚀与氧等离子处理工艺实现方案设计 | 第46-48页 |
| 3.2 槽栅与氧等离子体处理器件基本特性分析 | 第48-55页 |
| 3.2.1 转移特性分析 | 第48-51页 |
| 3.2.2 输出特性分析 | 第51-52页 |
| 3.2.3 肖特基特性分析 | 第52-55页 |
| 3.3 槽栅与氧等离子体处理器件界面态研究 | 第55-62页 |
| 3.3.1 AlGaN/GaN HEMT中的陷阱效应简述 | 第55-56页 |
| 3.3.2 电流崩塌测试原理及结果分析 | 第56-59页 |
| 3.3.3 变频电导谱测试及结果分析 | 第59-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 变温与退火实验 | 第64-78页 |
| 4.1 槽栅与氧等离子体处理器件的变温特性 | 第64-67页 |
| 4.2 槽栅与氧等离子体处理器件的退火响应 | 第67-75页 |
| 4.2.1 退火实验简介 | 第67-68页 |
| 4.2.2 退火前后特性分析 | 第68-75页 |
| 4.3 本章小结 | 第75-78页 |
| 第五章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-87页 |
