| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第16-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-33页 |
| 1.1 Ge材料的发展历史 | 第21-22页 |
| 1.2 Ge基 MOSFET与 TFET的发展及所面临的挑战 | 第22-27页 |
| 1.2.1 Ge基 MOSFET与 TFET的发展 | 第22-26页 |
| 1.2.2 Ge基 MOSFET与 TFET所面临的困难 | 第26-27页 |
| 1.3 本文的研究目的 | 第27-30页 |
| 1.4 本文的主要内容 | 第30-33页 |
| 第二章 Ge基材料仿真及材料制备研究 | 第33-47页 |
| 2.1 Sentaurus-TCAD仿真环境设置 | 第33-35页 |
| 2.2 Si基外延Ge材料的制备 | 第35-38页 |
| 2.2.1 减压化学气相淀积(RPCVD)系统介绍 | 第35-36页 |
| 2.2.2 低温/高温三步法制备Si基外延Ge材料 | 第36-38页 |
| 2.3 Si基外延Ge材料的表征及参数优化 | 第38-44页 |
| 2.3.1 Si基外延Ge材料表面粗糙度的表征 | 第39-40页 |
| 2.3.2 Si基外延Ge材料晶格常数的表征 | 第40-42页 |
| 2.3.3 Si基外延Ge材料位错密度的表征 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-47页 |
| 第三章 新型全耗尽Ge基 MOSFET设计 | 第47-75页 |
| 3.1 具有P型衬底的全耗尽型Ge基 MOSFET DIBL效应 | 第47-53页 |
| 3.1.1 器件结构与仿真物理模型 | 第48-49页 |
| 3.1.2 FD MOSFET的 DIBL效应与关态电流相关性研究 | 第49-51页 |
| 3.1.3 FDP MOSFET的 DIBL效应与关态电流相关性研究 | 第51-53页 |
| 3.2 具有P型衬底的全耗尽型Ge基 MOSFET参数优化 | 第53-57页 |
| 3.3 具有场板结构的全耗尽型Ge基 MOSFET GIDL效应 | 第57-66页 |
| 3.3.1 MOSFET器件的栅极电容“边缘效应”的模型建立 | 第58-61页 |
| 3.3.2 FD-FP MOSFET GIDL效应的仿真与分析 | 第61-66页 |
| 3.4 具有场板结构的FD MOSFET GIDL效应分析与场板参数优化 | 第66-72页 |
| 3.5 本章小结 | 第72-75页 |
| 第四章 新型Ge基 MOSFET的制备与测试分析 | 第75-104页 |
| 4.1 新型Ge基 MOSFET的工艺流程设计 | 第75-79页 |
| 4.2 离子注入及高温退火工艺的优化 | 第79-89页 |
| 4.2.1 离子注入的优化 | 第81-87页 |
| 4.2.2 退火温度的优化 | 第87-89页 |
| 4.3 Ge基 MOSFET场板结构的制备 | 第89-91页 |
| 4.4 具有场板结构的Ge基 MOSFET电学特性测试与分析 | 第91-102页 |
| 4.4.1 场板结构对Ge基 MOSFET电学特性影响的研究 | 第92-97页 |
| 4.4.2 场板尺寸对FP MOSFET电学特性影响的研究 | 第97-100页 |
| 4.4.3 场板偏置FP MOSFET电学特性影响的研究 | 第100-102页 |
| 4.5 本章小结 | 第102-104页 |
| 第五章 新型Ge基 TFET设计与研究 | 第104-126页 |
| 5.1 全耗尽型Ge基双栅TFET器件设计与研究 | 第104-109页 |
| 5.1.1 全耗尽型Ge基双栅TFET器件结构与仿真 | 第104-105页 |
| 5.1.2 全耗尽型Ge基双栅TFET器件电学特性仿真结果与讨论 | 第105-109页 |
| 5.2 全耗尽型Ge基双栅TFET器件参数的优化 | 第109-115页 |
| 5.2.1 沟道掺杂浓度N_D对全耗尽型Ge基双栅TFET器件电学特性的影响 | 第109-111页 |
| 5.2.2 栅极金属功函数Φ_m对全耗尽型Ge基双栅TFET器件电学特性的影响 | 第111-113页 |
| 5.2.3 漏极区长度L_D对全耗尽型Ge基双栅TFET器件电学特性的影响 | 第113-115页 |
| 5.3 具有场板结构的全耗尽型Ge/GeSn TFET器件设计与研究 | 第115-120页 |
| 5.3.1 具有场板结构的全耗尽型Ge/GeSn TFET材料能带结构与器件仿 | 第115-117页 |
| 5.3.2 具有场板结构的全耗尽型Ge/GeSnTFET器件仿真与分析 | 第117-120页 |
| 5.4 具有场板结构的全耗尽型Ge/GeSn TFET器件参数优化 | 第120-124页 |
| 5.5 本章小结 | 第124-126页 |
| 第六章 总结与展望 | 第126-129页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第126-127页 |
| 6.2 进一步的工作展望 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-137页 |
| 致谢 | 第137-139页 |
| 作者简介 | 第139-142页 |
