| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 1绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 α粒子辐射探测器的发展与应用 | 第8-11页 |
| 1.2.1 α粒子的性质 | 第8页 |
| 1.2.2 核辐射探测器的分类 | 第8-9页 |
| 1.2.3 宽带隙半导体辐射探测器 | 第9-11页 |
| 1.3 碳化硅α粒子探测器的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3.1 碳化硅材料的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.3.2 碳化硅α粒子探测器的国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第13-15页 |
| 2 4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的设计与制备 | 第15-22页 |
| 2.1 4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的结构设计 | 第15-18页 |
| 2.1.1 4H-SiC辐射探测器的常用器件结构 | 第15-16页 |
| 2.1.2 利用SRIM软件仿真确定外延层厚度 | 第16-17页 |
| 2.1.3 外延层掺杂浓度的确定 | 第17-18页 |
| 2.2 金属-半导体接触理论 | 第18-19页 |
| 2.2.1 肖特基接触 | 第18-19页 |
| 2.2.2 欧姆接触 | 第19页 |
| 2.3 Au/Ni/4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的制备 | 第19-21页 |
| 2.3.1 Au/Ni/4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的结构 | 第19-20页 |
| 2.3.2 探测器的制备工艺流程 | 第20-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 3 Au/Ni/4H-SiC肖特基结型探测器的热稳定性研究 | 第22-29页 |
| 3.1 不同温度退火后肖特基接触表面的XRD分析 | 第22-23页 |
| 3.2 退火温度对探测器的电学性能影响 | 第23-28页 |
| 3.2.1 I-V特性测试及分析 | 第23-26页 |
| 3.2.2 C-V特性测试及分析 | 第26-28页 |
| 3.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 4 Au/Ni/4H-SiC肖特基结型探测器的α粒子能量分辨率研究 | 第29-39页 |
| 4.1 4H-SiC肖特基结型探测器的α粒子辐射测试 | 第29-31页 |
| 4.1.1 α粒子能谱测试电子学系统 | 第29-30页 |
| 4.1.2 探测α粒子的工作原理 | 第30-31页 |
| 4.2 实验结果与分析 | 第31-38页 |
| 4.2.1 退火温度对α粒子能量分辨率的影响 | 第31-34页 |
| 4.2.2 工作电压对α粒子能量分辨率的影响 | 第34-38页 |
| 4.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 5 具有场板结构的Au/Ni/4H-SiC肖特基结型探测器的研究 | 第39-52页 |
| 5.1 边缘终端结构 | 第39-41页 |
| 5.1.1 场板(FP)结构 | 第39-40页 |
| 5.1.2 场限环(GR)结构 | 第40页 |
| 5.1.3 结终端扩展(JTE)结构 | 第40-41页 |
| 5.2 具有场板结构的4H-SiC肖特基结型探测器的仿真分析 | 第41-44页 |
| 5.3 具有场板结构的4H-SiC肖特基结型探测器的制备 | 第44-46页 |
| 5.4 探测器的电学性能测试 | 第46-48页 |
| 5.4.1 I-V特性测试及分析 | 第46-47页 |
| 5.4.2 C-V特性测试及分析 | 第47-48页 |
| 5.5 探测器的α粒子辐射探测性能测试 | 第48-50页 |
| 5.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 6 总结与展望 | 第52-54页 |
| 6.1 本论文研究工作总结 | 第52-53页 |
| 6.2 进一步研究工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
