| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第16-18页 |
| 缩略语对照表 | 第18-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-32页 |
| 1.1 Ge基n MOSFET器件的研究进展 | 第25-27页 |
| 1.2 Ge基n MOSFET源漏费米能级解钉扎研究进展 | 第27-30页 |
| 1.3 本论文要解决的问题 | 第30-32页 |
| 第二章 Ge基n MOSFET器件的沟道工程 | 第32-52页 |
| 2.1 锗的清洗 | 第32-33页 |
| 2.2 锗的刻蚀与腐蚀 | 第33-36页 |
| 2.3 通过湿法腐蚀+两次自限制氧化法减薄锗并降低锗表面粗糙度 | 第36-39页 |
| 2.4 n-Ge MOS电容研制 | 第39-48页 |
| 2.5 p-Ge MOS电容研制 | 第48-50页 |
| 2.6 本章小节 | 第50-52页 |
| 第三章 金属/n-Ge接触及基于金属/n-Ge接触的GeOI上自对准n MOSFETs器件 | 第52-70页 |
| 3.1 n-Ge的注入、激活及Ni/n-Ge欧姆接触 | 第52-58页 |
| 3.2 Ti/n-Ge欧姆接触 | 第58-62页 |
| 3.3 源漏自对准GeOI上n MOSFET器件研制工艺 | 第62-66页 |
| 3.4 源漏自对准GeOI上n MOSFET器件的电学特性分析 | 第66-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第四章 Al/ZnO/n-Ge欧姆接触及Ar等离子体处理对其能带和材料特性的影响 | 第70-80页 |
| 4.1 MIS接触 | 第70-72页 |
| 4.2 Ar等离子体处理ZnO/n-Ge对ZnO/n-Ge样品材料特性的影响 | 第72-75页 |
| 4.3 Ar等离子体处理ZnO对Al/ZnO/n-Ge电学特性的影响 | 第75-79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第五章 Al/TiO_2/n-Ge欧姆接触工艺优化及可靠性研究 | 第80-106页 |
| 5.1 通过超低温淀积生长TiO_2来提高Al/TiO_2/n-Ge接触电流 | 第80-85页 |
| 5.2 通过PEALD淀积TiO_2改善Al/n-Ge接触特性 | 第85-89页 |
| 5.3 硫化铵溶液处理对Al/TiO_2/n-Ge接触特性的影响 | 第89-95页 |
| 5.4 插入单层石墨烯对Al/TiO_2/n-Ge热稳定性的影响 | 第95-102页 |
| 5.5 Al/TiO_2/n-Ge MIS接触的Co~(60)γ射线总剂量辐照效应 | 第102-105页 |
| 5.6 本章小结 | 第105-106页 |
| 第六章 总结与展望 | 第106-108页 |
| 6.1 论文总结 | 第106-107页 |
| 6.2 未来的工作 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 作者简介 | 第118-120页 |
