| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-30页 |
| 1.1 AlGaN/GaN HEMT器件的技术背景 | 第20-27页 |
| 1.1.1 GaN基材料及HEMT器件的发展 | 第20-22页 |
| 1.1.2 GaN基增强型HEMT器件的实现 | 第22-27页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT器件可靠性研究现状 | 第27-29页 |
| 1.2.1 GaN基HEMT器件的退化机制 | 第27-28页 |
| 1.2.2 F注入增强型AlGaN/GaN HEMT器件可靠性研究现状 | 第28-29页 |
| 1.3 本文研究内容及安排 | 第29-30页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件及F注入实现增强型器件 | 第30-38页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的基本原理 | 第30-34页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结界面间的极化效应以及2DEG的产生 | 第30-33页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理 | 第33-34页 |
| 2.2 F离子注入实现增强型AlGaN/GaN HEMT器件的机理 | 第34-36页 |
| 2.2.1 F注入对器件阈值电压的调制 | 第34-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 F注入AlGaN/GaN HEMTs器件的仿真研究 | 第38-60页 |
| 3.1 仿真工具及仿真方法 | 第38-43页 |
| 3.1.1 SRIM软件简介 | 第38-40页 |
| 3.1.2 Silvaco TCAD软件介绍 | 第40-41页 |
| 3.1.3 仿真的关键方法 | 第41-43页 |
| 3.2 影响器件性能的几个要素 | 第43-47页 |
| 3.2.1 F等离子体处理条件的影响 | 第43-45页 |
| 3.2.2 器件结构参数的影响 | 第45-47页 |
| 3.3 F离子注入横向场效应整流二极管 | 第47-49页 |
| 3.4 F离子注入实现增强型MIS-HEMT器件 | 第49-50页 |
| 3.5 电应力下器件可靠性的初步探讨 | 第50-58页 |
| 3.5.1 关态应力仿真 | 第51-54页 |
| 3.5.2 开态应力仿真 | 第54-58页 |
| 3.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 F注入AlGaN/GaN HEMTs器件的电应力可靠性 | 第60-76页 |
| 4.1 器件的制备与直流特性测试 | 第60-64页 |
| 4.2 开态应力退化分析 | 第64-67页 |
| 4.3 关态应力退化分析 | 第67-71页 |
| 4.4 台阶应力退化分析 | 第71-72页 |
| 4.5 改善F注入增强型器件的可靠性措施 | 第72-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 致谢 | 第84-86页 |
| 作者简介 | 第86-88页 |
