基于二维黑磷材料的场效应晶体管及其电输运研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-34页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第11-13页 |
| 1.2 二维材料的兴起与发展历程 | 第13-19页 |
| 1.3 黑磷的基本性质 | 第19-28页 |
| 1.4 国内外对黑磷的研究进展综述 | 第28-31页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第31-34页 |
| 2 黑磷及其异质结电子器件的制备方法 | 第34-46页 |
| 2.1 黑磷场效应晶体管的制备方法 | 第34-41页 |
| 2.2 异质结器件的制备方法:定向干法转移技术 | 第41-44页 |
| 2.3 本章总结 | 第44-46页 |
| 3 黑磷场效应晶体管和反相器 | 第46-67页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 高性能黑磷场效应晶体管 | 第47-52页 |
| 3.3 黑磷器件的钝化保护 | 第52-53页 |
| 3.4 高性能二进制反相器 | 第53-60页 |
| 3.5 可调式三进制反相器 | 第60-65页 |
| 3.6 本章总结 | 第65-67页 |
| 4 黑磷-二硫化钼异质结 | 第67-89页 |
| 4.1 平面异质结的电输运特性 | 第67-72页 |
| 4.2 变进制反相器 | 第72-77页 |
| 4.3 垂直异质结的电输运特性 | 第77-85页 |
| 4.4 垂直异质结在逻辑器件中的应用 | 第85-87页 |
| 4.5 本章总结 | 第87-89页 |
| 5 黑磷光电子器件 | 第89-108页 |
| 5.1 光探测机理 | 第89-91页 |
| 5.2 黑磷光电晶体管 | 第91-102页 |
| 5.3 光伏探测器 | 第102-106页 |
| 5.4 本章总结 | 第106-108页 |
| 6 全文的总结和展望 | 第108-112页 |
| 6.1 文章创新点总结 | 第108-110页 |
| 6.2 下一步的工作和展望 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-124页 |
| 附录1 攻读博士期间已发表的学术论文 | 第124-126页 |
| 附录2 个人简历 | 第126-127页 |