| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 符号对照表 | 第19-25页 |
| 缩略语对照表 | 第25-31页 |
| 第一章 绪论 | 第31-45页 |
| 1.1 GaN材料和器件的优势 | 第31-34页 |
| 1.2 基于GaN材料的功率放大器研究进展 | 第34-36页 |
| 1.3 基于GaN材料的有源器件模型研究 | 第36-38页 |
| 1.4 基于薄膜介质材料的无源器件及模型研究 | 第38-40页 |
| 1.5 本论文内容及结构安排 | 第40-45页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT工作原理及器件制备工艺 | 第45-57页 |
| 2.1 引言 | 第45页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理 | 第45-47页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN HEMT基本结构 | 第45-46页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第46-47页 |
| 2.3 GaN基器件制备关键工艺 | 第47-55页 |
| 2.3.1 AlGaN/GaN异质结结构的生长 | 第47-48页 |
| 2.3.2 GaN HEMT制备关键技术 | 第48-55页 |
| 2.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第三章 基于高Q陶瓷材料的校准方法与过渡结构 | 第57-71页 |
| 3.1 引言 | 第57页 |
| 3.2 基于高Q陶瓷材料的校准算法 | 第57-62页 |
| 3.2.1 基于等效电路的传统校准算法 | 第58-59页 |
| 3.2.2 基于TRL的非对称结构校准算法 | 第59-62页 |
| 3.3 基于高Q陶瓷材料的共面波导微带转换结构设计 | 第62-68页 |
| 3.3.1 共面波导微带过渡结构 | 第63-65页 |
| 3.3.2 集总元件模型 | 第65-67页 |
| 3.3.3 测试和去嵌结果 | 第67-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-71页 |
| 第四章 基于薄膜介质材料的无源元件研究 | 第71-99页 |
| 4.1 引言 | 第71页 |
| 4.2 基于SiN介质材料的在片电容及模型 | 第71-86页 |
| 4.2.1 SiN薄膜介质电容的结构和指标 | 第71-73页 |
| 4.2.2 SiN薄膜介质材料的电容面积对电容特性的影响 | 第73-76页 |
| 4.2.3 SiN薄膜介质电容集总模型及参数提取过程 | 第76-81页 |
| 4.2.4 SiN薄膜介质厚度对电容特性的影响 | 第81-83页 |
| 4.2.5 不同介质材料种类对电容特性的影响 | 第83-86页 |
| 4.3 基于复合介质的空气桥螺旋电感耦合效应 | 第86-96页 |
| 4.3.1 复合介质空气桥在片螺旋电感的制作和测试 | 第87-92页 |
| 4.3.2 复合介质材料耦合电容的集总参数提取 | 第92-95页 |
| 4.3.3 复合介质材料中电磁场分布 | 第95-96页 |
| 4.4 本章小结 | 第96-99页 |
| 第五章 基于GaN材料的有源器件模型构建方法 | 第99-121页 |
| 5.1 引言 | 第99-101页 |
| 5.2 基于GaN材料的18元件有源器件小信号模型 | 第101-110页 |
| 5.2.1 基于Cold-FET法寄生参数的提取 | 第102-108页 |
| 5.2.2 正常偏置条件下本征参数的提取 | 第108-110页 |
| 5.3 基于有源补偿子电路的GaN HEMT非线性模型 | 第110-120页 |
| 5.3.1 常用构建大信号模型的方法 | 第111-114页 |
| 5.3.2 基于等效电路法的Kink效应修正模型 | 第114-115页 |
| 5.3.3 基于有源补偿子电路的GaN HEMT大信号模型 | 第115-120页 |
| 5.4 本章小结 | 第120-121页 |
| 第六章 基于GaN材料的高效率功率放大器设计 | 第121-161页 |
| 6.1 引言 | 第121-122页 |
| 6.2 功率放大器的主要技术指标 | 第122-125页 |
| 6.3 功率放大器的工作类型 | 第125-128页 |
| 6.4 GaN基S波段高效率功率放大器设计 | 第128-138页 |
| 6.4.1 AlN陶瓷衬底大功率分配网络与合成网络设计 | 第128-132页 |
| 6.4.2 器件预匹配网络设计 | 第132-134页 |
| 6.4.3 整体电路的设计 | 第134-135页 |
| 6.4.4 功率放大器的装配与调试 | 第135-137页 |
| 6.4.5 S波段功率放大器测试结果及分析 | 第137-138页 |
| 6.5 GaN基C波段两级功率放大器设计 | 第138-159页 |
| 6.5.1 驱动级设计 | 第138-144页 |
| 6.5.2 级间匹配电路设计 | 第144-146页 |
| 6.5.3 功率放大级电路设计 | 第146-149页 |
| 6.5.4 整体电路设计 | 第149-153页 |
| 6.5.5 测试与分析 | 第153-154页 |
| 6.5.6 温度对放大器性能的影响 | 第154-159页 |
| 6.6 本章小结 | 第159-161页 |
| 第七章 总结与展望 | 第161-165页 |
| 7.1 本论文的主要工作 | 第161-163页 |
| 7.2 将来的研究计划 | 第163-165页 |
| 参考文献 | 第165-177页 |
| 致谢 | 第177-179页 |
| 作者简介 | 第179-182页 |
