| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-29页 |
| 1.1 引言 | 第19页 |
| 1.2 石墨烯的性质 | 第19-24页 |
| 1.2.1 石墨烯的能带结构和电学性质 | 第19-23页 |
| 1.2.2 石墨烯的机械性质 | 第23-24页 |
| 1.2.3 石墨烯的热学性质 | 第24页 |
| 1.2.4 石墨烯的光学性质 | 第24页 |
| 1.3 石墨烯光电探测器的研究进展 | 第24-28页 |
| 1.3.1 石墨烯-半导体异质结光电探测器 | 第24-26页 |
| 1.3.2 基于石墨烯晶体管结构的光电探测器 | 第26-28页 |
| 1.4 本文的工作和章节结构 | 第28-29页 |
| 第二章 SiC外延石墨烯的制备与表征 | 第29-37页 |
| 2.1 石墨烯的制备方法 | 第29-31页 |
| 2.1.1 微机械剥离法 | 第29-30页 |
| 2.1.2 化学气相淀积法 | 第30页 |
| 2.1.3 SiC外延制备石墨烯法 | 第30-31页 |
| 2.1.4 还原氧化石墨法 | 第31页 |
| 2.2 SiC外延石墨烯的制备 | 第31-33页 |
| 2.2.1 外延片表面清洗 | 第31-32页 |
| 2.2.2 生长面表面处理 | 第32页 |
| 2.2.3 石墨烯材料的生长 | 第32页 |
| 2.2.4 详细工艺流程 | 第32-33页 |
| 2.3 SiC外延石墨烯的表征 | 第33-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 石墨烯-SiC肖特基紫外探测器 | 第37-71页 |
| 3.1 金属-半导体肖特基接触 | 第37-45页 |
| 3.1.1 理想肖特基势垒 | 第37-40页 |
| 3.1.2 界面态对肖特基势垒的影响 | 第40-41页 |
| 3.1.3 电流传输机理 | 第41-45页 |
| 3.2 石墨烯-SiC肖特基接触 | 第45-50页 |
| 3.2.1 理想石墨烯-SiC肖特基模型 | 第45-48页 |
| 3.2.2 理想石墨烯-SiC肖特基结的光电特性 | 第48-50页 |
| 3.3 石墨烯-SiC紫外探测器的制备、测试及优化方案 | 第50-66页 |
| 3.3.1 器件制备方案 | 第50-54页 |
| 3.3.2 基于Si面外延石墨烯结构的器件制备及测试 | 第54-59页 |
| 3.3.3 基于转移石墨烯结构的器件制备及测试 | 第59-66页 |
| 3.4 器件优化方案 | 第66-70页 |
| 3.4.1 Sentaurus-TCAD软件介绍 | 第66-67页 |
| 3.4.2 优化方案及仿真结果 | 第67-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 石墨烯-SiC晶体管光电探测器 | 第71-81页 |
| 4.1 器件制备 | 第71-73页 |
| 4.2 器件I-V测试 | 第73-78页 |
| 4.3 器件栅控测试 | 第78-79页 |
| 4.3.1 顶栅结构制备方案 | 第78-79页 |
| 4.3.2 栅控测试 | 第79页 |
| 4.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 第五章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 5.1 工作总结 | 第81-82页 |
| 5.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 作者简介 | 第89-91页 |