| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第16-18页 |
| 缩略语对照表 | 第18-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-34页 |
| 1.1 金刚石材料特性及发展 | 第22-27页 |
| 1.1.1 金刚石的材料特性 | 第22-23页 |
| 1.1.2 金刚石材料的制备及发展 | 第23-27页 |
| 1.2 金刚石场效应晶体管器件的发展 | 第27-32页 |
| 1.3 本文研究工作及安排 | 第32-34页 |
| 第二章 实验方法及原理 | 第34-44页 |
| 2.1 微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统 | 第34-36页 |
| 2.1.1 MPCVD生长金刚石原理 | 第34-35页 |
| 2.1.2 本实验所用MPCVD设备简介 | 第35-36页 |
| 2.2 材料表征设备及原理 | 第36-39页 |
| 2.2.1 光学及激光共聚焦显微镜 | 第36-37页 |
| 2.2.2 拉曼和PL谱 | 第37-38页 |
| 2.2.3 X射线衍射仪 | 第38页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜及阴极荧光光谱仪 | 第38-39页 |
| 2.2.5 原子力显微镜 | 第39页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱 | 第39页 |
| 2.3 氢终端金刚石表面导电原理 | 第39-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 金刚石材料生长及表征 | 第44-66页 |
| 3.1 单晶金刚石生长及表征 | 第44-62页 |
| 3.1.1 衬底筛选与预处理 | 第44-47页 |
| 3.1.2 单晶金刚石生长工艺及优化 | 第47-52页 |
| 3.1.3 单晶金刚石侧向扩大生长研究 | 第52-59页 |
| 3.1.4 单晶金刚石多片同时扩大生长研究 | 第59-62页 |
| 3.2 多晶金刚石生长及表征 | 第62-65页 |
| 3.2.1 多晶金刚石材料生长工艺 | 第62-63页 |
| 3.2.2 多晶金刚石材料特性表征 | 第63-65页 |
| 3.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 氢终端金刚石MESFET器件研究 | 第66-78页 |
| 4.1 氢终端金刚石表面处理 | 第66-67页 |
| 4.2 器件版图设计与工艺流程 | 第67-70页 |
| 4.3 器件欧姆接触电阻 | 第70-72页 |
| 4.4 器件特性与分析 | 第72-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 MoO_3栅介质的金刚石MOSFET研究 | 第78-102页 |
| 5.1 引言 | 第78-79页 |
| 5.2 单晶金刚石MoO_3介质MOSFET器件 | 第79-90页 |
| 5.2.1 器件制作工艺 | 第79页 |
| 5.2.2 器件特性及分析 | 第79-85页 |
| 5.2.3 沟道载流子输运特性研究 | 第85-90页 |
| 5.3 多晶金刚石MoO_3介质MOSFET器件研究 | 第90-100页 |
| 5.3.1 器件制作与特性分析 | 第90-95页 |
| 5.3.2 器件稳定性及温度特性研究 | 第95-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 第六章 金刚石Al_2O_3介质MOSFET器件研究 | 第102-112页 |
| 6.1 引言 | 第102-103页 |
| 6.2 器件工艺流程 | 第103-105页 |
| 6.3 器件特性研究 | 第105-109页 |
| 6.4 本章小结 | 第109-112页 |
| 第七章 总结与展望 | 第112-116页 |
| 参考文献 | 第116-126页 |
| 致谢 | 第126-128页 |
| 作者简介 | 第128-132页 |
