基于SiC MOSFET的高压医疗X光机电源若干关键技术研究
| 致谢 | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第19-27页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第19-20页 |
| 1.2 研究现状 | 第20-24页 |
| 1.2.1 高压医疗电源研究现状 | 第20-21页 |
| 1.2.2 SiC器件应用技术的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.2.3 LCC谐振参数设计研究现状 | 第22-24页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第24-27页 |
| 1.3.1 高压医疗电源系统方案 | 第24-25页 |
| 1.3.2 本论文的具体工作 | 第25-27页 |
| 2 LCC谐振腔的建模与参数设计方法 | 第27-51页 |
| 2.1 谐振软开关拓扑 | 第27-33页 |
| 2.1.1 LC串联谐振 | 第27-28页 |
| 2.1.2 LC并联谐振 | 第28-29页 |
| 2.1.3 LLC谐振 | 第29-31页 |
| 2.1.4 LCC谐振 | 第31-33页 |
| 2.2 主电路拓扑结构 | 第33-34页 |
| 2.3 LCC谐振腔分析[40] | 第34-50页 |
| 2.3.1 LLC和LCC通用纯阻性基波等效模型 | 第35-37页 |
| 2.3.2 CCM模式LCC容性基波等效模型 | 第37-42页 |
| 2.3.3 LCC谐振变换器参数设计 | 第42-46页 |
| 2.3.4 谐振参数仿真验证 | 第46-49页 |
| 2.3.5 实验验证 | 第49-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 3 大功率SiC H桥的关键技术研究与应用 | 第51-91页 |
| 3.1 SiC器件 | 第51页 |
| 3.2 桥臂串扰分析及抑制 | 第51-64页 |
| 3.2.1 串扰形成机理 | 第52-55页 |
| 3.2.2 串扰影响因素分析 | 第55-61页 |
| 3.2.3 桥臂串扰抑制 | 第61-64页 |
| 3.3 门极振荡形成机理及抑制措施 | 第64-66页 |
| 3.4 SiC器件并联均流 | 第66-71页 |
| 3.4.1 器件分散性对均流的影响 | 第66-68页 |
| 3.4.2 门极驱动电阻不一致对均流的影响 | 第68-69页 |
| 3.4.3 源极电感和漏极电感对均流的影响 | 第69-70页 |
| 3.4.4 驱动回路电感对均流的影响 | 第70-71页 |
| 3.4.5 器件并联均流措施 | 第71页 |
| 3.5 SiC驱动电路 | 第71-74页 |
| 3.5.1 门极驱动电路 | 第71-72页 |
| 3.5.2 保护设计 | 第72-74页 |
| 3.6 H桥直流侧电容及PCB布局 | 第74-77页 |
| 3.6.1 1.直流侧储能电容 | 第75-76页 |
| 3.6.2 2.直流侧吸收电容 | 第76-77页 |
| 3.7 H桥模块并联 | 第77-83页 |
| 3.7.1 环流分析 | 第78-80页 |
| 3.7.2 信号传输延迟效应 | 第80-82页 |
| 3.7.3 环流抑制和均流措施 | 第82-83页 |
| 3.8 实验验证 | 第83-90页 |
| 3.8.1 SiC驱动电路 | 第83-86页 |
| 3.8.2 SiC多管并联 | 第86-88页 |
| 3.8.3 SiC H桥多模块并联 | 第88-90页 |
| 3.9 本章小结 | 第90-91页 |
| 4 倍压整流模块的分析与设计 | 第91-104页 |
| 4.1 高频高压变压器 | 第91-97页 |
| 4.1.1 高频高压变压器设计 | 第92-97页 |
| 4.2 倍压整流电路 | 第97-101页 |
| 4.3 实验验证 | 第101-103页 |
| 4.4 本章总结 | 第103-104页 |
| 5 结论和展望 | 第104-107页 |
| 5.1 主要结论 | 第104-105页 |
| 5.2 工作展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-112页 |
| 附录1: 实验装置图片 | 第112-115页 |
| 附录2: 科研成果 | 第115页 |
| 1 论文 | 第115页 |
