| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 集成电路发展现状 | 第16-17页 |
| 1.2 后摩尔时代发展方向 | 第17页 |
| 1.3 隧穿场效应晶体管原理及优势 | 第17-20页 |
| 1.4 隧穿场效应晶体管研究现状 | 第20-22页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 材料特性及器件模拟方法 | 第24-34页 |
| 2.1 GeSn材料特性 | 第24页 |
| 2.2 GaAsN和GaAsBi材料特性分析 | 第24-30页 |
| 2.2.1 GaAsN材料 | 第25页 |
| 2.2.2 GaAsBi材料 | 第25-26页 |
| 2.2.3 能带反交叉(BAC)模型 | 第26-29页 |
| 2.2.4 虚拟晶格近似(VCA)计算方法 | 第29-30页 |
| 2.3 Sentaurus TCAD工具模型简介 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 GeSn TFET实验制备及性能分析 | 第34-46页 |
| 3.1 GeSn材料特性分析及器件制备 | 第34-38页 |
| 3.2 GeSn pMOSFET特性分析 | 第38-41页 |
| 3.3 GeSn p TFET特性分析 | 第41-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 GaAsN/GaAsBi TFET设计及特性分析 | 第46-66页 |
| 4.1 GaAsN/GaAsBi TFET设计及材料参数 | 第46-47页 |
| 4.2 基于TCAD工具对GaAsN/GaAsBi TFET性能分析 | 第47-54页 |
| 4.2.1 应变平衡理论 | 第47-49页 |
| 4.2.2 Sentaurus仿真 | 第49-54页 |
| 4.3 解析模型(Analytic model)推导及GaAsN/GaAsBi TFET仿真 | 第54-65页 |
| 4.3.1 Analyticmodel推导 | 第54-58页 |
| 4.3.2 GaAsBi/GaAsN TFET性能分析 | 第58-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-81页 |
