| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-35页 |
| 1.1 SiC功率器件研究背景 | 第21-24页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第21-22页 |
| 1.1.2 SiC材料特性及发展现状 | 第22-24页 |
| 1.2 SiC功率MOSFET晶体管研究现状 | 第24-32页 |
| 1.2.1 SiC功率MOSFET研究意义 | 第24-26页 |
| 1.2.2 4H-SiC功率MOSFET国内外研究现状 | 第26-31页 |
| 1.2.3 存在的问题 | 第31-32页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第32-35页 |
| 第二章 4H-SiC功率VDMOSFET器件物理及模型 | 第35-49页 |
| 2.1 4H-SiC功率VDMOSFET器件结构和工作机理 | 第35-36页 |
| 2.2 SiC功率VDMOSFET电学表征参数 | 第36-44页 |
| 2.2.1 导通电阻 | 第36-38页 |
| 2.2.2 阈值电压 | 第38-39页 |
| 2.2.3 击穿电压 | 第39-42页 |
| 2.2.4 结构电容 | 第42-44页 |
| 2.3 4H-SiC功率VDMOSFET物理模型及材料参数 | 第44-48页 |
| 2.3.1 MOSFET仿真中关键模型的介绍 | 第44-46页 |
| 2.3.2 模型验证 | 第46-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第三章 4H-SiC VDMOSFET栅氧化层新型氮退火工艺的研究 | 第49-65页 |
| 3.1 氮退火工艺的原理 | 第49-51页 |
| 3.2 新型氮退火工艺的研究 | 第51-57页 |
| 3.2.1 实验设计 | 第51-53页 |
| 3.2.2 采用新型氮退火工艺器件测试及结果分析 | 第53-57页 |
| 3.3 采用新型氮退火工艺MOS电容阈值稳定性研究 | 第57-63页 |
| 3.3.1 电容的NBTI特性 | 第57-61页 |
| 3.3.2 横向n-MOSFET的NBTI特性 | 第61-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 低温欧姆接触的研究 | 第65-87页 |
| 4.1 4H-SiC VDMOSFET器件中的欧姆接触 | 第65-69页 |
| 4.1.1 欧姆接触的形成机制 | 第65-68页 |
| 4.1.2 欧姆接触工艺实现 | 第68-69页 |
| 4.2 4H-SiC VDMOSFET器件中传统欧姆接触工艺的研究 | 第69-75页 |
| 4.2.1 实验方法及流片工艺设计 | 第70-72页 |
| 4.2.2 流片实验结果及测试分析 | 第72-75页 |
| 4.3 低温欧姆接触的研究 | 第75-85页 |
| 4.3.1 Ni/Ti/Al/W欧姆接触实验方案的制定 | 第75-79页 |
| 4.3.2 测试结果及分析 | 第79-85页 |
| 4.4 本章小结 | 第85-87页 |
| 第五章 4H-SiC VDMOSFET新型P-well FLRs终端的研究 | 第87-103页 |
| 5.1 4H-SiC VDMOSFET器件FLRs终端结构的工作原理 | 第87-92页 |
| 5.1.1 4H-SiC VDMOSFET器件中FLRs终端结构的工作原理 | 第87-90页 |
| 5.1.2 场限环终端结构设计方法 | 第90-92页 |
| 5.2 新型P-well FLRs的研究 | 第92-95页 |
| 5.2.1 新型P-well FLRs的设计 | 第92-94页 |
| 5.2.2 新型P-well FLRs与传统P+ FLRs的仿真对比 | 第94-95页 |
| 5.3 采用P-well FLRs终端结构的VDMOSFET器件的研制 | 第95-102页 |
| 5.3.1 工艺流程 | 第95-97页 |
| 5.3.2 流片结果测试 | 第97-101页 |
| 5.3.3 新型P-well FLRs终端的高温研究 | 第101-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-103页 |
| 第六章 1200V 40A高阈值 4H-SiC功率VDMOSFET器件设计与研究 | 第103-121页 |
| 6.1 1200V 40A高阈值VDMOSFET器件关键电学参数的设计 | 第103-107页 |
| 6.1.1 器件外延参数的设计 | 第103-104页 |
| 6.1.2 高阈值电压的工艺参数设计 | 第104-106页 |
| 6.1.3 低导通电阻器件结构参数设计 | 第106-107页 |
| 6.2 1200V 40A高阈值VDMOSFET器件的研制 | 第107-116页 |
| 6.2.1 器件的版图设计 | 第107-108页 |
| 6.2.2 器件工艺流程制备 | 第108-112页 |
| 6.2.3 器件测试结果及分析 | 第112-116页 |
| 6.3 1200V 40A高阈值 4H-SiC VDMOSFET器件阈值电压稳定性的研究 | 第116-120页 |
| 6.3.1 阈值电压温度应力测试的研究 | 第116-118页 |
| 6.3.2 阈值电压偏置时间应力的研究 | 第118-120页 |
| 6.4 本章小结 | 第120-121页 |
| 第七章 结束语 | 第121-125页 |
| 参考文献 | 第125-135页 |
| 致谢 | 第135-137页 |
| 作者简介 | 第137-139页 |
