| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 印刷电子学简介 | 第10-17页 |
| 1.2.1 什么是印刷电子学 | 第10-11页 |
| 1.2.2 常见的印刷电子参数 | 第11页 |
| 1.2.3 常见的印刷电子制造工艺 | 第11-17页 |
| 1.3 薄膜晶体管及其在CMOS反相器中的应用简介 | 第17-26页 |
| 1.3.1 薄膜晶体管的结构与工作原理 | 第17-19页 |
| 1.3.2 薄膜晶体管的性能参数 | 第19-20页 |
| 1.3.3 薄膜晶体管在CMOS反相器中的应用 | 第20-26页 |
| 1.4 本论文的研究目的及内容安排 | 第26-29页 |
| 第2章 低工作电压金属氧化物薄膜晶体管的印刷制备与性能研究 | 第29-45页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 喷墨印刷制备氧化物薄膜晶体管 | 第30-31页 |
| 2.2.1 实验材料与仪器 | 第30页 |
| 2.2.2 喷墨印刷氧化物薄膜晶体管实验步骤 | 第30-31页 |
| 2.3 介电层对氧化物薄膜晶体管性能的影响 | 第31-34页 |
| 2.4 碳纳米管添加对氧化物薄膜晶体管性能的影响 | 第34-37页 |
| 2.4.1 添加碳纳米管的氧化物墨水的制备 | 第35-37页 |
| 2.4.2 添加碳纳米管的氧化物薄膜晶体管的制备及电学性能研究 | 第37页 |
| 2.5 墨水配方对氧化物薄膜晶体管性能的影响 | 第37-40页 |
| 2.5.1 氧化物墨水配方对器件性能的影响 | 第38-39页 |
| 2.5.2 不同氧化物墨水配方制备的薄膜表征 | 第39-40页 |
| 2.6 O-plasma处理对氧化物薄膜晶体管的影响 | 第40-41页 |
| 2.7 脉冲氙灯退火对氧化物薄膜晶体管性能的影响初步研究 | 第41-43页 |
| 2.8 本章小结 | 第43-45页 |
| 第3章 碳纳米管薄膜晶体管和杂化CMOS反相器印刷制备与研究 | 第45-55页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 小管径单手性(9,8)单壁碳纳米管薄膜晶体管的印刷制备与表征 | 第45-48页 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 | 第45-46页 |
| 3.2.2 喷墨印刷(9,8)单壁碳纳米管薄膜晶体管的实验步骤 | 第46-47页 |
| 3.2.3 喷墨印刷(9,8)单壁碳纳米管薄膜晶体管的性能表征 | 第47-48页 |
| 3.3 基于氧化物和碳纳米管薄膜晶体管的杂化CMOS反相器印刷制备与研究 | 第48-53页 |
| 3.3.1 实验流程 | 第48-49页 |
| 3.3.2 印刷杂化CMOS反相器的性能表征 | 第49-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 离子胶为介电层的杂化CMOS反相器印刷制备与性能研究 | 第55-71页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 以离子胶为介电层的碳纳米管薄膜晶体管的制备与性能研究 | 第56-59页 |
| 4.2.1 实验材料与仪器 | 第56页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第56-57页 |
| 4.2.3 以离子胶为介电层的碳纳米管薄膜晶体管的性能研究 | 第57-59页 |
| 4.3 以离子胶为介电层的氧化物薄膜晶体管的制备与性能研究 | 第59-65页 |
| 4.3.1 实验流程 | 第59页 |
| 4.3.2 以离子胶为介电层的氧化物薄膜晶体管的性能研究 | 第59-65页 |
| 4.4 基于IO TFT和SWCNT TFT的杂化CMOS反相器的印刷制备与性能表征 | 第65-69页 |
| 4.4.1 实验流程 | 第65-66页 |
| 4.4.2 杂化CMOS反相器的性能表征 | 第66-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 总结 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第87页 |
