| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 符号对照表 | 第17-19页 |
| 缩略语对照表 | 第19-23页 |
| 第一章 绪论 | 第23-33页 |
| 1.1 GaN基电力电子器件的研究背景 | 第23-25页 |
| 1.2 GaN基电力电子器件的国内外研究现状 | 第25-29页 |
| 1.3 本文研究目标和内容安排 | 第29-33页 |
| 第二章 GaN基电力电子器件制备与陷阱表征技术 | 第33-47页 |
| 2.1 用于GaN基电力电子器件的外延材料生长 | 第33-35页 |
| 2.2 GaN基电力电子器件制备技术 | 第35-38页 |
| 2.2.1 常开型GaN基电力电子器件 | 第35-36页 |
| 2.2.2 常关型GaN基电力电子器件 | 第36-38页 |
| 2.3 GaN基电力电子器件的可靠性问题 | 第38-44页 |
| 2.3.1 电容-频率和电导-频率法 | 第39-41页 |
| 2.3.2 深能级瞬态谱技术 | 第41-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-47页 |
| 第三章 GaN基电子器件制备与电性陷阱分析 | 第47-63页 |
| 3.1 材料生长和器件制备 | 第47-51页 |
| 3.1.1 材料外延生长和表征分析 | 第47-49页 |
| 3.1.2 器件制备工艺 | 第49-51页 |
| 3.2 器件测试与分析 | 第51-55页 |
| 3.3 陷阱电性测试与分析 | 第55-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 高压Al_（0.3）Ga_（0.7）N/Al_（0.1）Ga_（0.9）N HEMTs制备及性能分析 | 第63-79页 |
| 4.1 材料生长和器件制备 | 第65-70页 |
| 4.1.1 材料外延生长和表征分析 | 第65-68页 |
| 4.1.2 器件制备工艺 | 第68-70页 |
| 4.2 器件测试与分析 | 第70-77页 |
| 4.2.1 台面漏电测试 | 第70页 |
| 4.2.2 欧姆接触和肖特基接触测试 | 第70-72页 |
| 4.2.3 输出特性和转移特性分析 | 第72-73页 |
| 4.2.4 高温直流特性测试 | 第73-75页 |
| 4.2.5 动态特性测试 | 第75-76页 |
| 4.2.6 高压击穿特性测试 | 第76-77页 |
| 4.3 本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 高性能Al_（0.3）Ga_（0.7）N/GaN(10nm)/Al_（0.1）Ga_（0.9）N HEMTs制备及性能分析 | 第79-87页 |
| 5.1 材料生长和器件制备 | 第81-82页 |
| 5.2 器件测试与分析 | 第82-85页 |
| 5.2.1 台面漏电测试 | 第82页 |
| 5.2.2 输出特性和转移特性分析 | 第82-83页 |
| 5.2.3 高温直流特性测试 | 第83页 |
| 5.2.4 动态特性测试 | 第83-84页 |
| 5.2.5 高压击穿特性测试 | 第84-85页 |
| 5.3 本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 常关型GaN基电力电子器件及漏电机理研究 | 第87-107页 |
| 6.1 常关型GaN-channel HEMTs和 AlGaN-channel HEMTs研究 | 第87-92页 |
| 6.1.1 材料外延和器件制备 | 第88-91页 |
| 6.1.2 测试分析与讨论 | 第91-92页 |
| 6.2 AlN/p-Si和 AlN/p-SOI漏电机理研究 | 第92-104页 |
| 6.2.1 材料外延和器件制备 | 第93-94页 |
| 6.2.2 测试与分析 | 第94-103页 |
| 6.2.3 低频噪声分析 | 第103-104页 |
| 6.2.4 结论 | 第104页 |
| 6.3 本章小结 | 第104-107页 |
| 第七章 总结和展望 | 第107-111页 |
| 参考文献 | 第111-121页 |
| 致谢 | 第121-123页 |
| 作者简介 | 第123-126页 |
