| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-22页 |
| 1.3 论文主要研究内容及安排 | 第22-23页 |
| 第二章 HPM技术及CMOS与非门的工作原理与结构 | 第23-33页 |
| 2.1 HPM技术 | 第23-26页 |
| 2.1.1 HPM产生原理与HPM源 | 第23-24页 |
| 2.1.2 HPM的一般技术方向 | 第24-25页 |
| 2.1.3 常见电子元器件的HPM机理分析 | 第25-26页 |
| 2.2 CMOS与非门的工作原理与结构 | 第26-31页 |
| 2.2.1 CMOS两输入与非门的工作原理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 CMOS两输入与非门的剖面结构 | 第27-28页 |
| 2.2.3 CMOS两输入与非门的静态工作特性 | 第28-31页 |
| 2.3 闩锁效应 | 第31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 CMOS与非门的HPM扰乱和损伤效应及其机理 | 第33-59页 |
| 3.1 Sentaurus-TCAD工具简介 | 第33-34页 |
| 3.2 数值计算模型 | 第34-40页 |
| 3.2.1 载流子输运模型 | 第34-35页 |
| 3.2.2 迁移率模型 | 第35-38页 |
| 3.2.3 载流子产生复合模型 | 第38-40页 |
| 3.3 高功率微波的信号模型 | 第40-42页 |
| 3.4 CMOS与非门的HPM扰乱效应 | 第42-49页 |
| 3.4.1 N_1管源极注入的扰乱机理 | 第42-45页 |
| 3.4.2 N_2(P_1、P_2)管漏极注入的扰乱机理 | 第45-47页 |
| 3.4.3 栅极(输入端)注入的扰乱机理 | 第47-49页 |
| 3.5 CMOS与非门的HPM损伤效应 | 第49-57页 |
| 3.5.1 N_1管源极注入的损伤机理 | 第49-52页 |
| 3.5.2 N_2(P_1、P_2)管漏极注入的损伤机理 | 第52-55页 |
| 3.5.3 栅极(输入端)注入的损伤机理 | 第55-57页 |
| 3.5.4 N_1管源极与N_2管漏极同时注入的情况 | 第57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 CMOS与非门HPM扰乱效应的影响因素 | 第59-67页 |
| 4.1 温度对CMOS与非门扰乱效应的影响 | 第59-61页 |
| 4.1.1 温度对扰乱效应的影响 | 第59-60页 |
| 4.1.2 HPM频率和脉宽对温度的影响 | 第60-61页 |
| 4.2 信号占空比对CMOS与非门扰乱效应的影响 | 第61-63页 |
| 4.3 脉冲重复频率对CMOS与非门扰乱效应的影响 | 第63-64页 |
| 4.4 N阱深度对CMOS与非门扰乱效应的影响 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 全文总结 | 第67-68页 |
| 5.2 研究展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |
