| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-29页 |
| 1.1 引言 | 第17-23页 |
| 1.1.1 TFET研究背景及意义 | 第17-20页 |
| 1.1.2 TFET的优势 | 第20-22页 |
| 1.1.3 Ge材料优势 | 第22-23页 |
| 1.2 TFET器件国内外研究现状 | 第23-26页 |
| 1.2.1 国外研究概况 | 第23-25页 |
| 1.2.2 国内研究概况 | 第25-26页 |
| 1.3 论文研究目的及内容 | 第26-29页 |
| 第二章 TFET工作机制分析 | 第29-41页 |
| 2.1 TFET的基本结构及工作特性分析 | 第29-36页 |
| 2.1.1 TFET的工作机制研究 | 第29-32页 |
| 2.1.2 TFET的隧穿机制分析 | 第32-33页 |
| 2.1.3 TFET的隧穿几率 | 第33-36页 |
| 2.2 Sentaurus TCAD仿真模型建立 | 第36-40页 |
| 2.2.1 Sentaurus TCAD仿真环境 | 第36-38页 |
| 2.2.2 TFET仿真模型分析 | 第38-40页 |
| 2.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 具有n+pocket层Ge基n型DGTFET结构设计 | 第41-61页 |
| 3.1 常规PIN-TFET和具有n+pocket层TFET结构设计与优化 | 第41-45页 |
| 3.1.1 常规PIN-TFET和具有n+pocket层TFET结构设计 | 第41-43页 |
| 3.1.2 常规PIN-TFET和具有n+pocket层TFET性能优化 | 第43-45页 |
| 3.2 具有n+pocket层的Ge基n型DGTFET结构设计与优化 | 第45-53页 |
| 3.2.1 具有n+pocket层的DMDT-DGTFET结构设计 | 第45-51页 |
| 3.2.2 具有n+pocket层HCDMDT-DGTFET结构设计 | 第51-53页 |
| 3.3 具有n+pocket层的TFET阈值电压模型研究 | 第53-59页 |
| 3.3.1 具有n+pocket层的TFET阈值电压模型建立 | 第53-57页 |
| 3.3.2 具有n+pocket层的TFET阈值电压模型的分析与讨论 | 第57-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 新型无结Ge基轻掺杂漏区(LDD区)n型TFET结构设计 | 第61-73页 |
| 4.1 常规Ge-nTFET和无结Ge-nTFET结构设计与优化 | 第61-65页 |
| 4.1.1 常规Ge-nTFET和无结Ge-nTFET结构设计 | 第61-62页 |
| 4.1.2 常规Ge-nTFET和无结Ge-nTFET性能分析 | 第62-65页 |
| 4.2 具有LDD区的无结Ge-nTFET结构设计与优化 | 第65-71页 |
| 4.2.1 具有LDD区的无结Ge-nTFET结构设计 | 第65-69页 |
| 4.2.2 具有LDD区斜栅无结Ge-nTFET结构设计 | 第69-71页 |
| 4.3 本章总结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
