| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-25页 |
| 1.1 GaN材料的特性分析与应用 | 第19-21页 |
| 1.1.1 GaN材料的特性分析 | 第19-20页 |
| 1.1.2 GaN材料的应用 | 第20-21页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT器件简介 | 第21-23页 |
| 1.3 本文的主要研究方向和内容安排 | 第23-25页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件原理及仿真软件基础 | 第25-43页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件的基本结构与工作原理 | 第25-28页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的击穿机理 | 第28-35页 |
| 2.2.1 场板在AlGaN/GaN HEMT器件上的应用 | 第28-30页 |
| 2.2.2 RESURF技术在AlGaN/GaN HEMT器件上的应用 | 第30-31页 |
| 2.2.3 带有背电极的AlGaN/GaN HEMT器件 | 第31-33页 |
| 2.2.4 在势垒层局部分区引入电荷的AlGaN/GaN HEMT器件 | 第33-34页 |
| 2.2.5 在Si_3N_4层引入部分固定正电荷的AlGaN/GaN HEMT器件 | 第34-35页 |
| 2.3 工艺及器件仿真工具Silvaco TCAD简介 | 第35-41页 |
| 2.3.1 Silvaco TCAD基本组件 | 第35-36页 |
| 2.3.2 Silvaco TCAD基本物理数学模型 | 第36-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT器件制备工艺与测试分析方法 | 第43-59页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT器件的制备工艺 | 第43-49页 |
| 3.1.1 样品表面清洗 | 第43-44页 |
| 3.1.2 光刻工艺 | 第44-45页 |
| 3.1.3 器件隔离 | 第45页 |
| 3.1.4 淀积源漏电极并形成欧姆接触 | 第45-46页 |
| 3.1.5 栅金属淀积 | 第46-47页 |
| 3.1.6 钝化层淀积 | 第47-48页 |
| 3.1.7 传统AlGaN/GaN HEMT器件的工艺流程 | 第48-49页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT器件的测试分析方法 | 第49-56页 |
| 3.2.1 器件隔离漏电 | 第49-50页 |
| 3.2.2 欧姆接触性能测试—传输线模型 | 第50-52页 |
| 3.2.3 栅金属肖特基接触性能检测 | 第52-54页 |
| 3.2.4 范德堡霍尔测试 | 第54-55页 |
| 3.2.5 原子力显微镜(AFM) | 第55-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-59页 |
| 第四章 具有阶梯型AlGaN外延层AlGaN/GaN HEMT器件仿真与实验研究 | 第59-75页 |
| 4.1 具有阶梯型AlGaN外延层AlGaN/GaN HEMTs器件仿真分析 | 第60-63页 |
| 4.1.1 阶梯型结构高度对AlGaN/GaN HEMT器件的电场调制效应 | 第60-62页 |
| 4.1.2 阶梯型结构长度对AlGaN/GaN HEMT器件的电场调制效应 | 第62-63页 |
| 4.2 具有阶梯型AlGaN外延层AlGaN/GaN HEMTs器件的实验研究 | 第63-72页 |
| 4.2.1 阶梯型AlGaN外延层结构的制备与AFM检测 | 第63-66页 |
| 4.2.2 GaN器件转移与输出特性测试与结果分析 | 第66-69页 |
| 4.2.3 AlGaN/GaN异质结2DEG面密度与迁移率范德堡霍尔测试与结果分析 | 第69页 |
| 4.2.4 GaN器件关态耐压特性的测试与结果分析 | 第69-72页 |
| 4.3 本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 新型本征GaN帽层AlGaN/GaN HEMT器件仿真与实验研究 | 第75-95页 |
| 5.1 新型本征GaN帽层AlGaN/GaN HEMT器件仿真分析 | 第77-81页 |
| 5.1.1 新型本征GaN帽层AlGaN/GaN HEMT器件转移与输出特性分析 | 第77-79页 |
| 5.1.2 本征GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT器件的电场调制效应 | 第79-81页 |
| 5.2 新型本征GaN帽层AlGaN/GaN HEMT器件的实验研究 | 第81-92页 |
| 5.2.1 本征GaN帽层结构的制备与AFM检测 | 第81-85页 |
| 5.2.2 GaN器件转移与输出特性测试与结果分析 | 第85-88页 |
| 5.2.3 AlGaN/GaN异质结2DEG面密度与迁移率范德堡霍尔测试与结果分析 | 第88-89页 |
| 5.2.4 GaN器件关态耐压特性的测试与结果分析 | 第89-92页 |
| 5.3 本章小结 | 第92-95页 |
| 第六章 总结与展望 | 第95-97页 |
| 6.1 总结 | 第95-96页 |
| 6.2 展望 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 作者简介 | 第103-105页 |
