| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究的目的与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 NBTI效应与DB-NBTI效应研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 论文的研究内容与结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 数值模拟软件简介及PMOS器件模型构造 | 第15-30页 |
| 2.1 器件模拟开源软件GENIUS-OPEN简介 | 第15-23页 |
| 2.1.1 软件网格设计 | 第16-18页 |
| 2.1.2 漂移扩散模型求解器 | 第18-20页 |
| 2.1.3 边界条件处理 | 第20-22页 |
| 2.1.4 数值算法 | 第22-23页 |
| 2.2 SZU-NBTI效应模拟软件 | 第23-25页 |
| 2.3 PMOS器件模型构造 | 第25-29页 |
| 2.3.1 pMOS的结构及工作原理 | 第25-26页 |
| 2.3.2 pMOS器件模型构造 | 第26-29页 |
| 2.4 小结 | 第29-30页 |
| 第三章 典型NBTI效应随着器件参数变化规律 | 第30-42页 |
| 3.1 典型NBTI效应的基本原理 | 第30-31页 |
| 3.2 理论计算模型 | 第31-34页 |
| 3.2.1 MOS结构的平带电压VFB | 第31-32页 |
| 3.2.2 器件阈值电压Vth | 第32-33页 |
| 3.2.3 器件NBTI退化 | 第33-34页 |
| 3.3 数值模拟方法 | 第34页 |
| 3.4 计算结果和讨论 | 第34-41页 |
| 3.4.1 掺杂浓度对pMOS器件NBTI效应的影响 | 第34-37页 |
| 3.4.2 栅氧厚度对NBTI效应的影响 | 第37-41页 |
| 3.5 小结 | 第41-42页 |
| 第四章 带偏置NBTI效应原理分析及数值模拟模型构建 | 第42-48页 |
| 4.1 DB-NBTI效应原理分析 | 第43-44页 |
| 4.2 阈值电压的提取 | 第44-45页 |
| 4.3 DB-NBTI非均匀界面电荷的数值模拟 | 第45-47页 |
| 4.4 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 带偏置NBTI效应数值模拟分析 | 第48-54页 |
| 5.1 DB-NBTI退化产生界面电荷与典型NBTI退化产生界面电荷对比分析 | 第48-50页 |
| 5.2 DB-NBTI退化随退化时间变化对器件阈值电压的影响 | 第50-51页 |
| 5.3 DB-NBTI退化随器件参数变化的规律 | 第51-53页 |
| 5.4 小结 | 第53-54页 |
| 第六章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第61页 |
