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半导体激光器驱动电源及其调控
碘化铅多晶合成与单晶生长研究
CdSe单晶体生长工艺与探测器性能研究
黄铜矿半导体砷化锗镉晶体的生长和密度泛函理论研究
单晶硅材料动态压痕试验系统的建立及试验研究
超薄SiO_xN_y膜的制备与结构特性研究
水热法合成ZnO基稀磁半导体材料
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H2/C2H2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究
等离子体增强化学气相沉积法制备氮化碳薄膜及其气相反应过程研究
CVD法低温合成纳米金刚石薄膜及其动力学研究
CH4/H2系统电子助进热丝化学气相沉积动力学过程研究
碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析
BF2~+注入硅栅Si/SiO2系统低剂量率辐照效应的研究
碲锌镉单晶体生长及碲锌镉室温核辐射探测器制备
硒化镉(CdSe)单晶体生长及其室温核辐射探测器
Si/SiGe异质结器件研究
新型图形发生器的研制
Fe、Co、Ni、Mn钝化多孔硅的制备、表面形貌和光致发光研究
N型单晶硅的水热刻蚀:形貌和光致发光
表面修饰N型多孔硅的光致荧光特性
富硅二氧化硅薄膜的光致荧光特性研究
SiC材料和器件特性及其辐照效应的研究
Cd1-xZnxTe晶体的缺陷研究及退火改性
碳化硅MOS器件和电路技术的研究
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用磁控溅射法生成β—C3N4的化学动力学—热力学模型
Ⅲ-N材料的RF Plasma MBE生长及物理研究
硅中H~+,He~+离子注入引起的物理效应与SOI高加速度传感器的研制
倒装焊及相关问题的研究
SOI圆片线位错和针孔密度及PIII新技术的研究
太拉赫兹场及强磁场作用下半导体超晶格系统中的输运性质
SOI关键参数的光学表征技术——理论研究及工程实用化
横向外延GaN材料的MOCVD生长与特性研究
氮对直拉硅单晶中氧化诱生层错的影响
用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长LiNbO3薄膜的研究
硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究
超高真空CVD外延生长SiGeC材料及性能研究
宽禁带半导体氧化锌晶体的离子注入光学效应研究
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硅芯片封装中芯片崩裂的改善
铜线键合优势和工艺的优化
基于表面等离子体共振腔的可调谐纳米光刻技术研究
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磷掺杂ZnO纳米材料的制备及性能研究
溶胶—凝胶法制备Zn1-xMgxO、Zn1-xMnxO薄膜及其发光性能研究
TFT-LCD制造中通过CVD与DE改善互连接触孔形状
n型SiCN薄膜的制备及其欧姆接触特性研究
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