用磁控溅射法生成β—C3N4的化学动力学—热力学模型
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-26页 |
| 1．1 碳化氮材料简介 | 第6-10页 |
| 1．1．1 碳化氮材料的性能及应用 | 第6-7页 |
| 1．1．2 β-C3N4晶体结构 | 第7页 |
| 1．1．3 碳化氮材料的人工合成 | 第7-10页 |
| 1．2 试验原理及装置 | 第10-15页 |
| 1．2．1 原理概述 | 第10-14页 |
| 1．2．2 实验装置简介 | 第14-15页 |
| 1．2．3 实验的条件控制 | 第15页 |
| 1．3 相关理论 | 第15-20页 |
| 1．4 模型中所需粒子热力学数据的估算 | 第20-26页 |
| 1．4．1 模型原理的基本阐述 | 第20-21页 |
| 1．4．2 粒子的热力学数据估算及结果误差的分析 | 第21-26页 |
| 第二章 衬底上可能发生的反应 | 第26-38页 |
| 2．1 衬底表面的主要反应的筛选 | 第26-36页 |
| 2．1．1 生成C6N12的反应 | 第26-32页 |
| 2．1．2 生成C3N6的反应 | 第32-36页 |
| 2．1．3 生成C2N2的反应 | 第36页 |
| 2．2 结论及讨论 | 第36-38页 |
| 第三章 硅衬底面上的若干晶格生长模型 | 第38-45页 |
| 3．1 生长过程的理想化模型的要点 | 第38页 |
| 3．2 表面反应和生长反应式的筛选 | 第38-45页 |
| 3．2．1 生长β结构的C3N4 | 第38-41页 |
| 3．2．2 生长P结构的C3N4 | 第41-43页 |
| 3. 2. 3 生长-(C2N2)n-结构 | 第43-44页 |
| 3．2．4 结论 | 第44-45页 |
| 第四章 模型 | 第45-59页 |
| 4．1 模型思想 | 第45-52页 |
| 4．1．1 入射粒子能量对衬底表面反应的影响 | 第45页 |
| 4．1．2 模型简介 | 第45-47页 |
| 4．1．3 模型的计算 | 第47-52页 |
| 4．2 模型的计算结果及与实验结果的对比 | 第52-57页 |
| 4．2．1 模型与文献结果的对比 | 第52-53页 |
| 4．2．2 薄膜的测试结果 | 第53-56页 |
| 4．2．3 测试结果与模型的对比 | 第56-57页 |
| 4．3 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
