氮对直拉硅单晶中氧化诱生层错的影响
| 前言 | 第1-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-32页 |
| 1．1 引言 | 第10-12页 |
| 1．2 直拉硅中的氧及氧沉淀 | 第12-22页 |
| 1．2．1 硅中氧的引入及其基本性质 | 第12-14页 |
| 1．2．2 氧沉淀及环状分布的微缺陷的形成 | 第14-22页 |
| 一、 硅中氧的扩散 | 第14-15页 |
| 二、 本征点缺陷的行为 | 第15-17页 |
| 三、 直拉硅中的原生微缺陷 | 第17-18页 |
| 四、 热处理引起的氧沉淀 | 第18页 |
| 五、 氧沉淀的红外测量 | 第18-21页 |
| 六、 氧沉淀的延滞现象 | 第21页 |
| 七、 氧沉淀的形态 | 第21-22页 |
| 1．3 氧化诱生层错的性质、成核和生长机制 | 第22-25页 |
| 1．3．1 硅的热氧化 | 第22-23页 |
| 1．3．2 OSF的成核和长大 | 第23-24页 |
| 1．3．3 影响OSF的因素 | 第24-25页 |
| 1．4 氧化诱生层错的检测 | 第25页 |
| 1．5 氮对硅中氧沉淀及氧化诱生层错的影响 | 第25-27页 |
| 1．5．1 硅中氮的引入 | 第26页 |
| 1．5．2 氮对硅中氧的作用 | 第26-27页 |
| 1．6 本工作的研究内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-32页 |
| 第二章 低温热处理时间对氮对OSF影响的研究 | 第32-46页 |
| 2．1 引言 | 第32页 |
| 2．2 实验设备及方法 | 第32-35页 |
| 2．3 实验结果与讨论 | 第35-44页 |
| 2．3．1 氧含量 | 第35-36页 |
| 2．3．2 氧化诱生层错 | 第36-41页 |
| 一、 OSF密度 | 第37-38页 |
| 二、 OSF的尺寸 | 第38-41页 |
| 2．3．3 关于OSF的确认 | 第41-42页 |
| 2．3．4 氧化时NCz-Si中产生的位错（环） | 第42-44页 |
| 2．4 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 氮对OSF生长规律的影响 | 第46-62页 |
| 3．1 引言 | 第46页 |
| 3．2 实验 | 第46-47页 |
| 3．3 结果与讨论 | 第47-60页 |
| 3．3．1 氧化层厚度 | 第47页 |
| 3．3．2 氧含量 | 第47-49页 |
| 3．3．3 氧沉淀的红外测量 | 第49-50页 |
| 3．3．4 OSF | 第50-60页 |
| 一、 OSF的密度 | 第50-53页 |
| 二、 OSF的尺寸 | 第53-60页 |
| 3．4 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第四章 结论 | 第62-64页 |
