| 目录 | 第1-4页 |
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-8页 |
| 第二章 错硅碳材料的研究进展及立题依据 | 第8-24页 |
| 2．1 Si_（1-x-y）Ge_xC_y合金的应变补偿作用 | 第8-12页 |
| 2．2 Si_（1-x-y）Ge_xC_y合金的能带结构 | 第12-16页 |
| 2．3 Si_（1-x-y）Ge_xC_y合金的外延生长方法 | 第16-19页 |
| 2．4 Si_（1-x-y）Ge_xC_y合金的器件应用 | 第19-21页 |
| 2．5 立题依据 | 第21-24页 |
| 第三章 UHV/CVD系统简介及薄膜生长工艺 | 第24-30页 |
| 3．1 UHV/CVD外延生长系统 | 第24-27页 |
| 3．2 外延生长工艺 | 第27-30页 |
| 第四章 实验结果及分析 | 第30-51页 |
| 4．1 Si_（1-x-y）Ge_xC_y合金的生长及应变研究 | 第30-36页 |
| 4．2 Si_（1-x-y）Ge_xC_y合金的热稳定性研究 | 第36-41页 |
| 4．3 Si_（1-x-y）Ge_xC_y合金的氧化动力学研究 | 第41-45页 |
| 4．4 Si_（1-x-y）Ge_xC_y合金氧化物的室温发光性能 | 第45-49页 |
| 4．5 阳极氧化多孔Si_（1-x-y）Ge_xC_y的光学性能 | 第49-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 硕士期间发表或送审的文章 | 第53页 |
