| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| 第二章 MOS器件的电离辐照效应 | 第10-16页 |
| 2．1 辐照效应 | 第10页 |
| 2．2 辐照电荷的产生 | 第10-12页 |
| §2．2．1 氧化物陷阱电荷 | 第10-11页 |
| §2．2．2 界面态陷阱电荷 | 第11-12页 |
| 2．3 界面态建立的相关模型 | 第12-16页 |
| 第三章 低剂量率辐照效应及BF_2~+注入加固的简要回顾 | 第16-27页 |
| 3．1 低剂量率下MOS器件的辐照效应 | 第16-21页 |
| 3．2 BF_2~+注入加固栅介质的抗辐照机理 | 第21-27页 |
| 第四章 辐照实验 | 第27-33页 |
| 4．1 电离辐照实验测试分析技术 | 第27-31页 |
| 4．2 样品及辐照实验 | 第31-33页 |
| 第五章 BF_2~+注入MOS器件低剂量率辐照实验结果与讨论 | 第33-61页 |
| 5．1 BF_2~+注入MOS器件低剂量率辐照效应 | 第33-51页 |
| §5．1．1 辐照剂量率对MOS管阈值电压漂移的影响 | 第33-35页 |
| §5．1．2 辐照栅压对MOS管阈值电压漂移的影响 | 第35-39页 |
| §5．1．3 辐照温度对MOS管阈值电压漂移的影响 | 第39-44页 |
| §5．1．4 器件结构对MOS管阈值电压漂移的影响 | 第44-46页 |
| §5．1．5 辐照后退火对MOS管阈值电压漂移的影响 | 第46-48页 |
| §5．1．6 BF_2~+注入对PMOS管阈值电压漂移的影响 | 第48-51页 |
| 5．2 BF_2~+注入MOS电容低剂量率辐照效应及与MOS管的相关性 | 第51-61页 |
| §5．2．1 辐照剂量对MOS电容辐照效应的影响 | 第51-55页 |
| §5．2．2 辐照剂量率对MOS电容辐照效应的影响 | 第55-57页 |
| §5．2．3 MOS电容与MOS管低剂量率辐照效应的相关性 | 第57-61页 |
| 第六章 总结 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 附录： 研究成果 | 第66页 |
