| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-13页 |
| 第一节 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 第二节 本论文要解决的主要问题 | 第11-12页 |
| 第三节 本论文研究的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 欧姆接触原理及测试方法 | 第13-27页 |
| 第一节 金属半导体接触基本参数 | 第13-14页 |
| 第二节 金属半导体接触原理 | 第14-19页 |
| 第三节 欧姆接触获得低接触电阻的条件 | 第19-20页 |
| 第四节 欧姆接触测试方法 | 第20-26页 |
| 第五节 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 n型 SiCN薄膜的制备及性能表征技术 | 第27-39页 |
| 第一节 n型SiCN薄膜的制备 | 第27-28页 |
| 第二节 n型SiCN薄膜的表征 | 第28-32页 |
| 第三节 薄膜性能分析 | 第32-37页 |
| 第四节 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 SiCN薄膜上的欧姆接触 | 第39-50页 |
| 第一节 电极材料的选择 | 第39-40页 |
| 第二节 电极的制备 | 第40-42页 |
| 第三节 Ti/WSi/Ni-SiCN欧姆接触 | 第42-49页 |
| 第四节 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54页 |