CdSe单晶体生长工艺与探测器性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第一章 概论 | 第13-32页 |
| ·半导体核辐射探测器研究进展 | 第13-17页 |
| ·室温核辐射探测器材料要求 | 第17-18页 |
| ·硒化镉(CdSe)的基本特性 | 第18-20页 |
| ·CdSe晶体生长的研究进展 | 第20-24页 |
| ·原料的提纯 | 第20-21页 |
| ·晶体的生长方法 | 第21-24页 |
| ·CdSe晶体热处理及其器件加工研究进展 | 第24-26页 |
| ·热处理 | 第24-25页 |
| ·表面处理 | 第25页 |
| ·电极制备技术 | 第25-26页 |
| ·CdSe核辐射探测器的研究进展 | 第26-30页 |
| ·小结 | 第30页 |
| ·本论文的主要研究内容和预期目标 | 第30-32页 |
| 第二章 CdSe单晶体生长的热力学及动力学研究 | 第32-52页 |
| ·CdSe晶体气相生长方法 | 第32-33页 |
| ·CdSe晶体生长的热力学分析 | 第33-38页 |
| ·CdSe晶体生长的动力学研究 | 第38-51页 |
| ·生长动力学过程分析 | 第38-41页 |
| ·动力学参数的确定 | 第41-50页 |
| ·晶体生长速度的讨论 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 第三章 CdSe晶体生长工艺研究 | 第52-63页 |
| ·CdSe晶体生长参数选择原则与工艺优化 | 第52-54页 |
| ·晶体生长 | 第54-56页 |
| ·多晶原料的提纯工艺 | 第54-55页 |
| ·晶体生长工艺 | 第55-56页 |
| ·CdSe晶体品质表征 | 第56-62页 |
| ·晶体外观 | 第56-57页 |
| ·单晶XRD测试 | 第57-58页 |
| ·晶体的IV测试 | 第58-59页 |
| ·晶体的红外表征 | 第59-61页 |
| ·晶体的紫外吸收谱 | 第61页 |
| ·位错蚀坑观察 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第四章 CdSe晶体热处理研究 | 第63-80页 |
| ·晶体缺陷研究的正电子湮没技术 | 第63-64页 |
| ·退火装置与工艺 | 第64-66页 |
| ·Se及Cd气氛下的退火 | 第64页 |
| ·真空退火 | 第64-66页 |
| ·气氛下的退火研究 | 第66-73页 |
| ·退火机制 | 第66页 |
| ·正电子湮没寿命值 | 第66-69页 |
| ·红外透过与吸收 | 第69-71页 |
| ·电学性能 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73页 |
| ·真空退火研究 | 第73-78页 |
| ·正电子湮没寿命值 | 第73-76页 |
| ·中红外透过及吸收 | 第76-77页 |
| ·电学性能 | 第77-78页 |
| ·小结 | 第78页 |
| ·结论 | 第78-80页 |
| 第五章 CdSe单晶体表面处理工艺研究 | 第80-88页 |
| ·表面处理工艺 | 第80-81页 |
| ·不同表面处理工艺下晶片的I─V特性 | 第81页 |
| ·晶片表面处理工艺对表面形貌的影响 | 第81-82页 |
| ·表面处理工艺对表面成分的影响 | 第82-85页 |
| ·表面处理工艺对晶片电学性能的影响分析 | 第85-86页 |
| ·小结 | 第86-88页 |
| 第六章 CdSe核辐射探测器的接触电极研究 | 第88-103页 |
| ·电极欧姆接触及肖特基势垒接触 | 第89-92页 |
| ·欧姆接触 | 第89-90页 |
| ·金属半导体肖特基势垒接触整流理论 | 第90-92页 |
| ·电极接触制备工艺 | 第92-93页 |
| ·不同材料制备的接触电极I─V特性 | 第93-97页 |
| ·不同组合电极的I─V特性 | 第97-100页 |
| ·电极接触面积对电荷收集效率的影响 | 第100-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| 第七章 CdSe核辐射探测器的制备及其性能测试 | 第103-113页 |
| ·半导体探测器概述 | 第103-106页 |
| ·半导体探测器的工作原理 | 第103页 |
| ·探测器的漏电流 | 第103-104页 |
| ·探测器的能量分辨率 | 第104-106页 |
| ·CdSe探测器的制备 | 第106-108页 |
| ·晶片切割和磨平抛光 | 第106-107页 |
| ·晶片热处理 | 第107页 |
| ·晶片表面处理 | 第107页 |
| ·晶片接触电极制备 | 第107-108页 |
| ·探测器的封装 | 第108页 |
| ·探测器的能谱测试 | 第108-112页 |
| ·能谱测试系统及测试方法 | 第108-109页 |
| ·测试结果分析 | 第109-112页 |
| ·小结 | 第112-113页 |
| 第八章 结论 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-122页 |
| 附录 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
