| 详细内容摘要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-30页 |
| 第一节 引言 | 第7-10页 |
| 第二节 纳米硅薄膜的荧光特性的研究现状 | 第10-26页 |
| 1． 量子限制效应发光模型 | 第11-21页 |
| 2． 量子限制/发光中心模型 | 第21-23页 |
| 3． 与氧有关的缺陷发光模型 | 第23-26页 |
| 第三节 富硅二氧化硅薄膜的制备方法简介 | 第26-30页 |
| 1． 化学气相淀积法 | 第26-27页 |
| 2． 射频磁控溅射法 | 第27-28页 |
| 3． 离子注入技术 | 第28-30页 |
| 第二章 实验过程 | 第30-36页 |
| 第一节 富硅二氧化硅薄膜的制备 | 第30-35页 |
| 1． 靶的制备 | 第30页 |
| 2． 样品的制备 | 第30-35页 |
| 第二节 富硅二氧化硅薄膜的退火 | 第35页 |
| 第三节 富硅二氧化硅薄膜的特性测量 | 第35-36页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第36-51页 |
| 第一节 薄膜的结构特性 | 第36-41页 |
| 第二节 Ar气压对荧光强度的影响 | 第41-47页 |
| 第三节 退火温度对荧光强度的影响 | 第47页 |
| 第四节 复合靶上Si/SiO_2面积比对荧光特性的影响 | 第47-51页 |
| 第四章 结论 | 第51-53页 |
| 英文摘要 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |