| 第一章 绪论 | 第1-21页 |
| 1．1 SiC的研究与进展 | 第11-15页 |
| 1．1．1 SiC的特性及研究意义 | 第11-13页 |
| 1．1．2 SiC材料和器件的发展现状 | 第13-15页 |
| 1．2 SiC抗辐照特性分析 | 第15-18页 |
| 1．2．1 SiC材料的辐照效应 | 第15-16页 |
| 1．2．2 SiC器件的辐照效应 | 第16-18页 |
| 1．3 当前SiC研究中存在的问题 | 第18-19页 |
| 1．4 本文的主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 6H-SiC体电子输运的Monte Carlo研究 | 第21-33页 |
| 2．1 6H-SiC的材料特性 | 第21-23页 |
| 2．2 6H-SiC主要的散射机制 | 第23-25页 |
| 2．3 6H-SiC Monte Carlo模拟的方法 | 第25-29页 |
| 2．3．1 可变的Г方案 | 第25-27页 |
| 2．3．2 Herring-Vogt变换 | 第27-28页 |
| 2．3．3 平均散射角近似 | 第28-29页 |
| 2．4 模拟结果和讨论 | 第29-32页 |
| 2．5 小结 | 第32-33页 |
| 第三章 SiC MOS结构杂质非完全离化的分析 | 第33-49页 |
| 3．1 外界因素对杂质原子离化能的影响 | 第33-34页 |
| 3．2 SiC MOS表面空间电荷区中杂质的离化 | 第34-39页 |
| 3．2．1 SiC晶体中的杂质能级 | 第34-36页 |
| 3．2．2 电场作用下SiC杂质的离化 | 第36-39页 |
| 3．3 SiC MOS结构电特性的分析 | 第39-42页 |
| 3．3．1 MOS表面空间电荷区的数值分析 | 第39-40页 |
| 3．3．2 MOS结构的C-V特性 | 第40-41页 |
| 3．3．3 MOS结构的反型层电荷 | 第41-42页 |
| 3．4 电场对SiC MOS结构特性的影响 | 第42-44页 |
| 3．5 杂质不完全离化对SiC MOSFET的影响 | 第44-47页 |
| 3．6 小结 | 第47-49页 |
| 第四章 SiC材料参数的辐照退化 | 第49-62页 |
| 4．1 SiC中辐照损伤的产生 | 第49-51页 |
| 4．2 SiC中的电子辐照缺陷 | 第51-54页 |
| 4．3 辐照在SiC中引入的NIEL及其影响 | 第54-55页 |
| 4．4 少子寿命损伤模型 | 第55-60页 |
| 4．5 SiC、Si和GaAs少子寿命退化的比较 | 第60-61页 |
| 4．6 小结 | 第61-62页 |
| 第五章 SiC器件及IC的辐照分析 | 第62-78页 |
| 5．1 SiC JFET的模型 | 第62-65页 |
| 5．2 SiC JFET的辐照分析 | 第65-66页 |
| 5．3 中子辐照对SiC JFET的影响 | 第66-69页 |
| 5．4 6H-SiC pn结的基本特性 | 第69-70页 |
| 5．5 6H-SiC pn结正向电流的辐照响应 | 第70-73页 |
| 5．5．1 辐照对耗尽区复合率的影响 | 第70-72页 |
| 5．5．2 中子辐照下的SiC pn结正向电流特性 | 第72-73页 |
| 5．6 6H-SiC pn结反向电流的辐照响应 | 第73-74页 |
| 5．7 SiC单粒子效应 | 第74-76页 |
| 5．8 小结 | 第76-78页 |
| 第六章 辐照对SiC MOS反型层迁移率的影响 | 第78-94页 |
| 6．1 SiC/SiO_2界面粗糙散射的指数模型 | 第78-80页 |
| 6．2 SiO_2层中电荷的辐照引入 | 第80-82页 |
| 6．3 综合的6H-SiC反型层库仑散射模型 | 第82-85页 |
| 6．4 6H-SiC反型层迁移率的MC模拟 | 第85-86页 |
| 6．5 SiC/SiO_2界面的粗糙散射 | 第86-89页 |
| 6．6 库仑电荷对SiC MOS沟道迁移率的影响 | 第89-90页 |
| 6．7 SiC MOS沟道迁移率的分析 | 第90-92页 |
| 6．8 小结 | 第92-94页 |
| 第七章 SiC MOS结构的电特性及其辐照效应 | 第94-102页 |
| 7．1 SiC MOS结构的I-V特性 | 第94-96页 |
| 7．2 SiC MOS电容的C-V分析 | 第96-97页 |
| 7．3 γ辐照对SiC MOS电容的影响 | 第97-100页 |
| 7．4 SiC MOS电容的辐照退火特性 | 第100-101页 |
| 7．5 小结 | 第101-102页 |
| 第八章 研究总结 | 第102-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 博士期间的学术论文 | 第116页 |
