| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 目录 | 第11-16页 |
| 第一章 文献综述 | 第16-50页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的性能及制备 | 第17-23页 |
| ·物理性能 | 第17-21页 |
| ·晶体结构与晶格常数 | 第17-18页 |
| ·禁带宽度 | 第18-19页 |
| ·相图 | 第19-20页 |
| ·电学性能 | 第20-21页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的制备 | 第21-23页 |
| ·传统Bridgman法 | 第21-23页 |
| ·高压Bridgman法 | 第23页 |
| ·生长态CdTe／Cd_(1-x)Zn_xTe晶体中的Te沉淀及Te夹杂 | 第23-34页 |
| ·Te沉淀相 | 第23-26页 |
| ·Te夹杂 | 第26-28页 |
| ·Te夹杂相与Te沉淀的区别 | 第28-29页 |
| ·Te夹杂与Te沉淀相对晶体性能的影响 | 第29-31页 |
| ·富Te相的减少与消除 | 第31-34页 |
| ·生长参数 | 第31-33页 |
| ·退火处理 | 第33-34页 |
| ·CdTe／Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的退火 | 第34-36页 |
| ·第二相 | 第34-35页 |
| ·红外透过率 | 第35页 |
| ·电学性能 | 第35-36页 |
| ·晶体结构 | 第36页 |
| ·缺陷化学计算 | 第36-40页 |
| ·缺陷化学计算理论概述 | 第36-37页 |
| ·缺陷化学的表示方法 | 第37页 |
| ·原子缺陷及其施主、受主效应 | 第37-38页 |
| ·质量作用定理及伪化学平衡方程 | 第38-39页 |
| ·冷却过程 | 第39页 |
| ·点缺陷的缺陷化学计算 | 第39-40页 |
| ·本文的研究内容 | 第40-41页 |
| 本章参考文献 | 第41-50页 |
| 第二章 CdTe晶体中点缺陷的分析与计算 | 第50-69页 |
| ·理论分析 | 第50-53页 |
| ·CdTe的点缺陷模型 | 第50-52页 |
| ·费米能级 | 第52-53页 |
| ·计算过程中使用的参数 | 第53-54页 |
| ·计算结果与讨论 | 第54-66页 |
| ·反应能与反应熵 | 第54-55页 |
| ·费米能级 | 第55-60页 |
| ·点缺陷浓度-压力图 | 第60-61页 |
| ·中性缺陷 | 第61-64页 |
| ·本征条件下晶体成分与理想化学配比的最小偏离 | 第64页 |
| ·平衡常数 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 本章参考文献 | 第67-69页 |
| 第三章 Cd_(0.95)Zn_(0.05)Te晶体中点缺陷的研究 | 第69-85页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe的点缺陷模型 | 第69-71页 |
| ·计算过程中使用的参数 | 第71页 |
| ·计算结果与讨论 | 第71-83页 |
| ·Cd_(0.95)Zn_(0.05)Te中CdTe的反应能与反应熵 | 第72-73页 |
| ·费米能级 | 第73页 |
| ·点缺陷浓度-压力图 | 第73-78页 |
| ·中性缺陷 | 第78-81页 |
| ·本征条件下晶体成分与理想化学配比的最小偏离 | 第81页 |
| ·平衡常数 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 本章参考文献 | 第84-85页 |
| 第四章 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及生长态晶体的性能评价 | 第85-103页 |
| ·晶体生长 | 第85-87页 |
| ·晶体生长设备 | 第85页 |
| ·晶体生长控制参数 | 第85-87页 |
| ·生长态晶体的性能评价 | 第87-101页 |
| ·晶体宏观质量及切片示意图 | 第87-89页 |
| ·成分分布 | 第89-90页 |
| ·结晶质量 | 第90-93页 |
| ·红外透过性能 | 第93-94页 |
| ·晶体的微观质量 | 第94-101页 |
| ·晶体的位错密度 | 第95-96页 |
| ·生长态Cd_(1-x)Zn_xTe晶体内的富Te相 | 第96-99页 |
| ·片层结构 | 第99-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 第五章 Cd_(1-x)Zn_xTe退火改性条件的理论分析及退火实验设计 | 第103-113页 |
| ·理论分析 | 第103-107页 |
| ·高温CdTe晶体相图的精细结构及退火温度的上限 | 第103-104页 |
| ·压力小于P_(cs)时，Cd-Te二元系P-T-X相图的等压截面 | 第104-106页 |
| ·Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te的P-T相图及退火Cd源成分的确定 | 第106-107页 |
| ·退火实验设计 | 第107-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 本章参考文献 | 第111-113页 |
| 第六章 退火晶片的微观组织及成分分布 | 第113-142页 |
| ·饱和Zn压退火晶体的成分及金相分析 | 第113-130页 |
| ·表面层 | 第113-116页 |
| ·基体的金相组织 | 第116-124页 |
| ·富Te相的热迁移 | 第124-126页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体内的层错 | 第126-129页 |
| ·Zn的扩散 | 第129-130页 |
| ·高温低Zn压退火晶体的微观组织 | 第130-134页 |
| ·低温低Zn压退火晶体的成分及微观组织 | 第134-137页 |
| ·断面成分分布 | 第134-136页 |
| ·退火对晶体表面成分的均匀化作用 | 第136页 |
| ·金相观察 | 第136-137页 |
| ·30-2-1号晶片退火后的金相观察 | 第137-140页 |
| ·本章小结 | 第140-141页 |
| 本章参考文献 | 第141-142页 |
| 第七章 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的红外透过性能及其与退火工艺参数的关系 | 第142-164页 |
| ·红外透射光谱分析理论基础 | 第142-143页 |
| ·典型红外透过曲线分析 | 第143-146页 |
| ·退火参数对Cd_(1-x)Zn_xTe晶体红外透过性能的影响 | 第146-162页 |
| ·饱和Zn压下退火晶体的红外透过性能 | 第147-149页 |
| ·表面层对红外性能的影响 | 第147-148页 |
| ·晶片退火温度对基体红外透过特性的影响 | 第148-149页 |
| ·高温低Zn压退火晶体的红外透过性能 | 第149-154页 |
| ·升温速率对退火效果的影响 | 第150-151页 |
| ·退火前晶内Te沉淀相的状态对退火效果的影响 | 第151-154页 |
| ·低温低Zn压退火晶片的红外透过性能 | 第154-161页 |
| ·高Cd压退火对晶体红外性能的影响 | 第161-162页 |
| ·本章小结 | 第162-163页 |
| 本章参考文献 | 第163-164页 |
| 第八章 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的结晶质量及其与退火工艺参数的关系 | 第164-181页 |
| ·结晶质量及其研究方法 | 第164-165页 |
| ·生长态Cd_(1-x)Zn_xTe晶体X射线回摆曲线的特点 | 第165-167页 |
| ·饱和Zn压下退火晶体的结晶质量 | 第167-173页 |
| ·表面层对退火晶体结晶质量的影响 | 第167-169页 |
| ·饱和Zn压下退火晶体基体结晶质量的变化 | 第169-173页 |
| ·高温低Zn压下退火晶体的结晶质量 | 第173-176页 |
| ·低温低Zn压下退火晶体的结晶质量 | 第176-179页 |
| ·本章小结 | 第179-180页 |
| 本章参考文献 | 第180-181页 |
| 第九章 Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的电学性能及退火实验总结 | 第181-187页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的电学性能 | 第181-184页 |
| ·退火实验总结 | 第184-186页 |
| 本章参考文献 | 第186-187页 |
| 主要结论 | 第187-190页 |
| 致谢 | 第190-191页 |
| 攻读博士学位期间撰写和发表的论文 | 第191页 |
