| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·硅微通道结构的发展及应用 | 第7-10页 |
| ·微通道结构制备方法 | 第10-12页 |
| ·电化学刻蚀工艺 | 第12页 |
| ·论文主要内容 | 第12-14页 |
| 第二章 光电化学腐蚀硅微通道结构输运基本理论 | 第14-26页 |
| ·硅的基本性质 | 第14-16页 |
| ·半导体电子能带理论 | 第16-21页 |
| ·硅/HF界面电荷输运理论 | 第21-26页 |
| 第三章 硅载流子的输运特性 | 第26-36页 |
| ·光生载流子的特性 | 第26-27页 |
| ·欧姆接触层对光生空穴的影响 | 第27-29页 |
| ·光照对光生空穴的影响 | 第29-33页 |
| ·微通道结构对电荷输运的影响 | 第33-36页 |
| 第四章 硅/HF系统的输运特性 | 第36-47页 |
| ·硅/HF系统的界面传荷输运 | 第36-37页 |
| ·迁移和扩散引起的传质输运 | 第37-39页 |
| ·传荷输运和传质输运临界情况 | 第39-41页 |
| ·各种工艺条件对临界电流密度的影响 | 第41-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |