| 第1章 绪论 | 第1-10页 |
| 第2章 GaN 材料特性 | 第10-15页 |
| ·GaN 发展概述 | 第10页 |
| ·GaN 材料结构及特性 | 第10-13页 |
| ·GaN 材料结构 | 第10-12页 |
| ·GaN 材料特性 | 第12-13页 |
| ·p 型GaN 材料 | 第13-14页 |
| ·本章小结 | 第14-15页 |
| 第3章 全带多粒子Monte Carlo 模拟方法 | 第15-22页 |
| ·Monte Carlo 模拟方法概述 | 第15页 |
| ·载流子输运中的Monte Carlo 方法 | 第15-17页 |
| ·全带多粒子Monte Carlo 方法 | 第17-18页 |
| ·全带Monte Carlo 方法 | 第17-18页 |
| ·多粒子Monte Carlo 方法 | 第18页 |
| ·随机数的产生 | 第18-20页 |
| ·随机数概述 | 第18-19页 |
| ·均匀随机数的产生 | 第19-20页 |
| ·非均匀随机数的产生 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-22页 |
| 第4章 基本公式推导 | 第22-34页 |
| ·散射率的计算 | 第22-30页 |
| ·散射率计算的理论基础 | 第22-25页 |
| ·晶格散射 | 第25-28页 |
| ·电离杂质散射 | 第28-30页 |
| ·自散射 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第5章 模拟过程及结果 | 第34-53页 |
| ·模型描述 | 第34-35页 |
| ·模拟的主要步骤 | 第35-45页 |
| ·定义物理系统 | 第35-36页 |
| ·计算散射率 | 第36-41页 |
| ·空穴运动的初始条件 | 第41页 |
| ·确定自由飞行时间 | 第41页 |
| ·选择散射机理 | 第41-42页 |
| ·确定散射终态 | 第42-45页 |
| ·结果的处理 | 第45页 |
| ·模拟程序 | 第45-47页 |
| ·模拟结果 | 第47-52页 |
| ·平均能量 | 第47-50页 |
| ·平均漂移速度 | 第50-52页 |
| ·渡越时间与位移关系 | 第52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第6章 结束语 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58页 |