SOI关键参数的光学表征技术——理论研究及工程实用化
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 目 录 | 第8-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-23页 |
| 1．1 SOI——新兴的半导体材料 | 第10-11页 |
| 1．2 SOI与体硅的比较 | 第11-14页 |
| 1．3 SOI器件的优点 | 第14-15页 |
| 1．4 SOI在各个领域的应用 | 第15-16页 |
| 1．5 SOI材料的各种制备方法比较 | 第16-20页 |
| 1．6 SOI材料的各种表征方法比较 | 第20-23页 |
| 第二章 多层薄膜的光学模型 | 第23-29页 |
| 2．1 两相界面的光学性质 | 第23-24页 |
| 2．2 单层薄膜的光学性质 | 第24-26页 |
| 2．3 多层薄膜的光学性质 | 第26-27页 |
| 2．4 有效介质近似理论 | 第27-29页 |
| 第三章 SOI的实验结果 | 第29-38页 |
| 3．1 表层硅层的单晶性 | 第29-31页 |
| 3．2 氧化埋层的特性 | 第31-35页 |
| 3．3 SOI的界面结构 | 第35-38页 |
| 第四章 SOI的光学表征 | 第38-44页 |
| 4．1 光学测量表征 | 第38-39页 |
| 4．2 基本光学模型 | 第39页 |
| 4．3 顶层硅色散的校正 | 第39-41页 |
| 4．4 二氧化硅色散校正 | 第41-42页 |
| 4．5 氧化埋层有效介质校正 | 第42-44页 |
| 第五章 SOI关键参数的在线表征 | 第44-59页 |
| 5．1 计算程序的设计 | 第44-47页 |
| 5．2 SOI材料双面反射光的分析 | 第47-49页 |
| 5．3 测量环境引起误差的分析 | 第49-51页 |
| 5．4 对红外反射光谱的进一步分析 | 第51-53页 |
| 5．5 红外反射光谱的灵敏度 | 第53-55页 |
| 5．6 程序的直观图形界面 | 第55-59页 |
| 第六章 在Smart-Cut上的应用 | 第59-66页 |
| 6．1 Smart-Cut的相关实验 | 第59-61页 |
| 6．2 Smart-Cut的光学模型 | 第61-64页 |
| 6．3 光学模型的实验验证 | 第64-66页 |
| 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 发表文章目录 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 个人简历 | 第76页 |
