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碘化铅多晶合成与单晶生长研究

1 引言第1-26页
   ·半导体材料概述第11-12页
   ·半导体核辐射探测器第12-14页
   ·室温半导体核辐射探测器材料第14-17页
   ·性能优异的PbI_2晶体第17-18页
     ·PbI_2晶体用途第17页
     ·PbI_2晶体结构及其主要性质第17-18页
   ·PbI_2晶体生长研究进展第18-22页
     ·气相法生长PbI_2晶体第19页
     ·凝胶法生长PbI_2晶体第19-20页
     ·熔体法生长PbI_2晶体第20-22页
   ·Pb-I系统相图研究现状第22-23页
   ·本研究选题依据和思路第23-24页
   ·小结第24-26页
2 PbI_2多晶合成理论基础第26-37页
   ·合成反应的类型第26-28页
   ·合成反应机理第28-29页
   ·合成反应动力学第29-31页
   ·合成反应热力学第31-34页
   ·合成反应影响因素第34-36页
   ·小结第36-37页
3 PbI_2多晶原料合成第37-57页
   ·PbI_2多晶原料来源第37-38页
   ·PbI_2多晶原料合成实验第38-45页
     ·反应物属性第38-39页
     ·合成实验方案设计—两温区气相输运合成法第39-40页
     ·合成安瓿形状设计第40-41页
     ·合成安瓿的设计计算第41-43页
     ·合成炉的设计第43-44页
     ·合成原料配比第44页
     ·合成工艺第44-45页
   ·合成结果与分析第45-49页
     ·X射线衍射分析(XRD)第45-46页
     ·黑色异类物质分析第46-48页
     ·液相分层及其观察第48页
     ·富余铅对PbI_2多晶原料的影响第48-49页
   ·Pb-PbI_2相图的问题第49-50页
   ·Pb-I相图与液相分层第50-52页
   ·相变分析与Pb的沉积第52-54页
   ·PbI_2合成反应机理分析第54-56页
   ·小结第56-57页
4 PbI_2晶体生长理论基础第57-68页
   ·结晶过程的驱动力第57-58页
   ·溶质分凝与组分过冷第58-61页
     ·溶质分凝第58-60页
     ·组分过冷第60-61页
   ·界面稳定性第61-63页
   ·成核速率与线性生长速度第63-64页
   ·坩埚下降法(B-S法)第64-67页
   ·小结第67-68页
5 PbI_2晶体的垂直布里奇曼法生长第68-86页
   ·生长实验方案第68-70页
     ·生长方法选取第68页
     ·生长安瓿设计第68-69页
     ·生长温场设计第69-70页
     ·晶体生长装置第70页
   ·PbI_2晶体生长参数第70-73页
     ·晶体生长温场测量第70-71页
     ·温度梯度与生长界面第71-72页
     ·温度梯度与生长速率第72页
     ·降温冷却速率第72-73页
   ·PbI_2晶体生长工艺第73-74页
     ·生长工艺1(Tech.1)第73页
     ·生长工艺2(Tech.2)第73页
     ·生长工艺3(Tech.3)第73-74页
   ·生长结果与分析讨论第74-83页
     ·晶体生长结果第74-76页
     ·晶体的成分分析第76-80页
     ·碘的蒸发与回流——温度场对晶体生长的影响第80-82页
     ·铅的沉积——晶锭颜色与硬度沿轴向的变化分析第82页
     ·铅的分离——黄色晶锭的成因分析第82-83页
   ·生长工艺参数选择原则第83-84页
   ·小结第84-86页
6 PbI_2晶体的性能表征与分析第86-92页
   ·X射线衍射分析第86-87页
   ·红外透过性能表征第87-88页
   ·可见-紫外吸收光谱测试第88-89页
   ·室温电阻率测试第89-90页
   ·PbI_2探测器能谱测试第90-91页
   ·小结第91-92页
7 结论第92-94页
8 工作展望第94-95页
参考文献第95-100页
致谢第100-102页
附件:博士学位期间发表的论文及参加的科研项目第102页

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