碘化铅多晶合成与单晶生长研究
1 引言 | 第1-26页 |
·半导体材料概述 | 第11-12页 |
·半导体核辐射探测器 | 第12-14页 |
·室温半导体核辐射探测器材料 | 第14-17页 |
·性能优异的PbI_2晶体 | 第17-18页 |
·PbI_2晶体用途 | 第17页 |
·PbI_2晶体结构及其主要性质 | 第17-18页 |
·PbI_2晶体生长研究进展 | 第18-22页 |
·气相法生长PbI_2晶体 | 第19页 |
·凝胶法生长PbI_2晶体 | 第19-20页 |
·熔体法生长PbI_2晶体 | 第20-22页 |
·Pb-I系统相图研究现状 | 第22-23页 |
·本研究选题依据和思路 | 第23-24页 |
·小结 | 第24-26页 |
2 PbI_2多晶合成理论基础 | 第26-37页 |
·合成反应的类型 | 第26-28页 |
·合成反应机理 | 第28-29页 |
·合成反应动力学 | 第29-31页 |
·合成反应热力学 | 第31-34页 |
·合成反应影响因素 | 第34-36页 |
·小结 | 第36-37页 |
3 PbI_2多晶原料合成 | 第37-57页 |
·PbI_2多晶原料来源 | 第37-38页 |
·PbI_2多晶原料合成实验 | 第38-45页 |
·反应物属性 | 第38-39页 |
·合成实验方案设计—两温区气相输运合成法 | 第39-40页 |
·合成安瓿形状设计 | 第40-41页 |
·合成安瓿的设计计算 | 第41-43页 |
·合成炉的设计 | 第43-44页 |
·合成原料配比 | 第44页 |
·合成工艺 | 第44-45页 |
·合成结果与分析 | 第45-49页 |
·X射线衍射分析(XRD) | 第45-46页 |
·黑色异类物质分析 | 第46-48页 |
·液相分层及其观察 | 第48页 |
·富余铅对PbI_2多晶原料的影响 | 第48-49页 |
·Pb-PbI_2相图的问题 | 第49-50页 |
·Pb-I相图与液相分层 | 第50-52页 |
·相变分析与Pb的沉积 | 第52-54页 |
·PbI_2合成反应机理分析 | 第54-56页 |
·小结 | 第56-57页 |
4 PbI_2晶体生长理论基础 | 第57-68页 |
·结晶过程的驱动力 | 第57-58页 |
·溶质分凝与组分过冷 | 第58-61页 |
·溶质分凝 | 第58-60页 |
·组分过冷 | 第60-61页 |
·界面稳定性 | 第61-63页 |
·成核速率与线性生长速度 | 第63-64页 |
·坩埚下降法(B-S法) | 第64-67页 |
·小结 | 第67-68页 |
5 PbI_2晶体的垂直布里奇曼法生长 | 第68-86页 |
·生长实验方案 | 第68-70页 |
·生长方法选取 | 第68页 |
·生长安瓿设计 | 第68-69页 |
·生长温场设计 | 第69-70页 |
·晶体生长装置 | 第70页 |
·PbI_2晶体生长参数 | 第70-73页 |
·晶体生长温场测量 | 第70-71页 |
·温度梯度与生长界面 | 第71-72页 |
·温度梯度与生长速率 | 第72页 |
·降温冷却速率 | 第72-73页 |
·PbI_2晶体生长工艺 | 第73-74页 |
·生长工艺1(Tech.1) | 第73页 |
·生长工艺2(Tech.2) | 第73页 |
·生长工艺3(Tech.3) | 第73-74页 |
·生长结果与分析讨论 | 第74-83页 |
·晶体生长结果 | 第74-76页 |
·晶体的成分分析 | 第76-80页 |
·碘的蒸发与回流——温度场对晶体生长的影响 | 第80-82页 |
·铅的沉积——晶锭颜色与硬度沿轴向的变化分析 | 第82页 |
·铅的分离——黄色晶锭的成因分析 | 第82-83页 |
·生长工艺参数选择原则 | 第83-84页 |
·小结 | 第84-86页 |
6 PbI_2晶体的性能表征与分析 | 第86-92页 |
·X射线衍射分析 | 第86-87页 |
·红外透过性能表征 | 第87-88页 |
·可见-紫外吸收光谱测试 | 第88-89页 |
·室温电阻率测试 | 第89-90页 |
·PbI_2探测器能谱测试 | 第90-91页 |
·小结 | 第91-92页 |
7 结论 | 第92-94页 |
8 工作展望 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-100页 |
致谢 | 第100-102页 |
附件:博士学位期间发表的论文及参加的科研项目 | 第102页 |