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硅芯片封装中芯片崩裂的改善

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
1 前言第8-10页
2 问题产生的背景第10-17页
   ·公司内部数据的分析第10-14页
   ·崩裂的机理第14-17页
3 崩裂在划片工艺(dicing)的改善第17-27页
   ·原因分析第17-20页
   ·问题的改善第20-26页
   ·改善后的监测结果第26页
   ·结论第26-27页
4 崩裂在芯片粘合工艺(die bond)的改善第27-34页
   ·Die Bond工艺流程简介及原因分析第27-30页
   ·问题的改善第30-32页
   ·改善后的监测结果第32-33页
   ·结论第33-34页
5 其他工艺站点的排除第34-35页
6 崩裂的风险评估第35-40页
   ·风险评估实验第35-37页
   ·原因分析第37-38页
   ·问题的改善第38-39页
   ·结论第39-40页
7 总结第40-41页
参考文献第41-42页
攻读学位期间发表的学术论文第42-43页
致谢第43-44页

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