中文摘要 | 第1-6页 |
英文摘要 | 第6-9页 |
第一章 引言 | 第9-27页 |
1.1 多孔硅研究的概况 | 第9-10页 |
1.2 多孔硅的制备技术 | 第10-12页 |
1.2.1 多孔硅的电化学阳极腐蚀制备法 | 第10-11页 |
1.2.2 化学染色腐蚀法 | 第11-12页 |
1.2.3 水热腐蚀法 | 第12页 |
1.3 多孔硅的形成机理 | 第12-17页 |
1.3.1 硅在腐蚀液中的化学反应过程 | 第12-15页 |
1.3.2 多孔硅的形成机理 | 第15-17页 |
1.4 多孔硅的特性 | 第17-21页 |
1.4.1 多孔硅的结构特性 | 第17-20页 |
1.4.2 多孔硅的光致发光 | 第20-21页 |
1.5 开题思想 | 第21-23页 |
第一章参考文献 | 第23-27页 |
第二章 N型单晶硅的水热刻蚀与多孔硅的光致发光 | 第27-50页 |
2.1 多孔硅的水热制备技术 | 第27-29页 |
2.2 N型单晶硅的水热刻蚀条件与多孔形貌 | 第29-38页 |
2.2.1 腐蚀液成分对形貌的影响 | 第29-35页 |
2.2.2 温度对多孔硅形貌的影响 | 第35-37页 |
2.2.3 (100)取向、高掺杂的N型单晶硅片在水热腐蚀中的时间演化 | 第37-38页 |
2.3 N型单晶硅刻蚀的铁钝化多孔硅 | 第38-40页 |
2.3.1 铁钝化多孔硅的提出 | 第38-40页 |
2.3.2 用N型单晶硅水热法制备铁钝化多孔硅 | 第40页 |
2.4 N型衬底上水热刻蚀的多孔硅的光致发光 | 第40-42页 |
2.5 不同表面钝化多孔硅光致发光谱的时间演化特性 | 第42-46页 |
2.6 本章小结 | 第46-49页 |
第二章参考文献 | 第49-50页 |
第三章 N型单晶硅的水热刻蚀机理 | 第50-63页 |
3.1 解释多孔硅形成机理的现有模型 | 第50-52页 |
3.1.1 Beale模型 | 第50页 |
3.1.2 扩散限制模型 | 第50-51页 |
3.1.3 量子力学模型 | 第51-52页 |
3.1.4 现有模型的比较 | 第52页 |
3.2 N型衬底上水热制备的多孔硅的形貌特征 | 第52-53页 |
3.3 N型单晶硅水热刻蚀过程的化学反应 | 第53-57页 |
3.3.1 HF+HNO_3体系中的水热反应 | 第54-55页 |
3.3.2 HF+Fe(NO_3)_3体系中的水热反应 | 第55-57页 |
3.4 N型衬底上多孔硅的形成机理 | 第57-60页 |
3.4.1 初孔的形成 | 第58页 |
3.4.2 大孔的形成与取向 | 第58-60页 |
3.5 本章小结 | 第60-62页 |
第三章参考文献 | 第62-63页 |
第四章 结论 | 第63-65页 |
附录 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
致谢 | 第66页 |