| 致谢 | 第1-4页 |
| 发表论文目录 | 第4-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| 英文摘要 | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-32页 |
| 1．1 SOI技术的优点 | 第11-12页 |
| 1．2 SOI材料制备技术的发展 | 第12-15页 |
| 1．3 SOI技术的应用 | 第15-26页 |
| 1．4 H~+/He~+注入在单晶硅中产生的物理效应 | 第26-27页 |
| 1．5 本论文的主要工作 | 第27页 |
| 1．6 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章 硅中注H~+引起的缺陷和应力以及剥离的机制 | 第32-43页 |
| 2．1 引言 | 第32页 |
| 2．2 实验条件 | 第32-33页 |
| 2．3 H~+注入引入的缺陷及应力的研究 | 第33-37页 |
| 2．4 H~+注入导致表面剥离的机制 | 第37-38页 |
| 2．5 H~+与B，P杂质相互作用对表面剥离的影响 | 第38-41页 |
| 2．6 小结 | 第41页 |
| 2．7 参考文献 | 第41-43页 |
| 第三章 硅中H~+，He~+共注入所引起的效应 | 第43-66页 |
| 3．1 引言 | 第43页 |
| 3．2 实验条件 | 第43-45页 |
| 3．3 H~+，He~+共注入引入缺陷的研究 | 第45-53页 |
| 3．4 H~+，He~+以不同的次序注入的比较 | 第53-58页 |
| 3．5 H~+，He~+共注入减少总注入剂量的机制 | 第58-64页 |
| 3．6 小结 | 第64页 |
| 3．7 参考文献 | 第64-66页 |
| 第四章 利用离子束增强淀积与离子注入机制备的Smart-Cut SOI材料的比较 | 第66-74页 |
| 4．1 引言 | 第66页 |
| 4．2 Smart-Cut SOI材料的制备过程 | 第66-67页 |
| 4．3 Smart-Cut SOI材料质量的表征 | 第67-72页 |
| 4．4 小结 | 第72-73页 |
| 4．5 参考文献 | 第73-74页 |
| 第五章 Smart-Cut SOI材料中应力的分析 | 第74-81页 |
| 5．1 引言 | 第74页 |
| 5．2 HRXRD对SOI材料表征的原理 | 第74-77页 |
| 5．3 Smart-Cut SOI材料中应力的分析 | 第77-79页 |
| 5．4 小结 | 第79页 |
| 5．5 参考文献 | 第79-81页 |
| 第六章 SOI高G加速度传感器的设计与工艺 | 第81-95页 |
| 6．1 引言 | 第81页 |
| 6．2 压阻式加速度传感器的原理 | 第81-87页 |
| 6．3 SOI加速度传感器受力分析 | 第87-88页 |
| 6．4 SOI加速度传感器的制备 | 第88-94页 |
| 6．5 小结 | 第94页 |
| 6．6 参考文献 | 第94-95页 |
| 第七章 总结 | 第95-97页 |
| 附录 | 第97-99页 |
| 简历 | 第99页 |
