SOI圆片线位错和针孔密度及PIII新技术的研究
| 致谢 | 第1-4页 |
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 目 录 | 第8-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-25页 |
| 1．1 SOI技术简介 | 第10-11页 |
| 1．2 SOI技术国际发展动态 | 第11-15页 |
| 1．3 SOI材料一般制备方法 | 第15页 |
| 1．4 注氧隔离技术（SIMOX） | 第15-20页 |
| 1．4．1 SIMOX技术简介 | 第16页 |
| 1．4．2 SIMOX技术发展概况 | 第16-18页 |
| 1．4．3 SIMOX圆片质量的提高路径 | 第18页 |
| 1．4．4 SIMOX技术发展方向 | 第18-20页 |
| 1．5 智能剥离（SMART-CUT）技术 | 第20页 |
| 1．6 等离子体浸没式注入（PⅢ）技术 | 第20-22页 |
| 1．7 SIMOX/SOI材料质量表征技术简介 | 第22页 |
| 1．8 本论文的工作 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-25页 |
| 第二章 SIMOX/SOI顶层硅位错密度的表征 | 第25-44页 |
| 2．1 引言 | 第25页 |
| 2．2 增强化学腐蚀法原理 | 第25-27页 |
| 2．3 SECCO实验过程 | 第27-28页 |
| 2．4 SECCO实验结果与分析 | 第28-41页 |
| 2．4．1 低剂量SIMOX圆片的位错密度 | 第28-31页 |
| 2．4．2 位错密度与注入剂量的关系 | 第31-37页 |
| 2．4．3 位错密度与注入能量的关系 | 第37-39页 |
| 2．4．4 标准剂量下的线位错密度 | 第39-40页 |
| 2．4．5 实验过程中的不明现象 | 第40-41页 |
| 2．5 小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 SIMOX/SOI埋层针孔密度的表征 | 第44-59页 |
| 3．1 引言 | 第44页 |
| 3．2 实验方法 | 第44-47页 |
| 3．3 实验结果与分析 | 第47-57页 |
| 3．3．1 低剂量样品针孔密度与剂量和能量的关系 | 第47-54页 |
| 3．3．2 标准剂量样品的针孔密度 | 第54-55页 |
| 3．3．3 降低针孔密度的措施 | 第55-57页 |
| 3．4 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第四章 PⅢ法制备SOI材料的研究 | 第59-75页 |
| 4．1 PⅢ技术简介和研究现状 | 第59-61页 |
| 4．2 理论模型与模拟 | 第61-67页 |
| 4．2．1 概述 | 第61-62页 |
| 4．2．2 PIC方法 | 第62-65页 |
| 4．2．3 模拟结果 | 第65-67页 |
| 4．3 理论考虑与实验 | 第67-71页 |
| 4．3．1 PIII实验中的各种影响因素 | 第67-69页 |
| 4．3．2 PⅢ法注氢实验 | 第69-71页 |
| 4．4 小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第五章 总结 | 第75-77页 |
| 发表文章目录 | 第77-79页 |
| 个人简历 | 第79页 |
